STD3NM60-1

在追求更高能效与更紧凑设计的今天，您的电源方案是否还在为功率器件的选择而犹豫？想象一下，一颗能够轻松驾驭600V高压、提供稳定3A电流支持的功率开关，正是许多中低功率开关电源、照明驱动和电机控制应用所梦寐以求的核心。现在，答案就在STD3NM60-1这颗经典的N沟道MOSFET之中。

它绝不仅仅是一个简单的开关。源自ST意法半导体备受赞誉的MDmesh产品系列，它继承了卓越的动态性能和快速开关特性。高达600V的漏源电压（Vdss）为您构筑了坚实的安全屏障，让您的设计在面对电网波动或感性负载冲击时从容不迫。而其1.5欧姆的低导通电阻（在特定条件下），意味着更低的传导损耗，直接转化为更少的发热和更高的整体效率，让您的产品在能效竞赛中脱颖而出。

无论是为LED驱动提供稳定可靠的功率转换，还是在小型家电的电机控制中实现精准的PWM调速，亦或是作为离线式开关电源（SMPS）中的主开关管，STD3NM60-1都能完美融入。其通孔IPAK封装兼顾了良好的散热性能与成熟的焊接工艺，非常适合对可靠性和成本都有要求的批量生产。即便它已处于停产状态，通过可靠的ST中国代理渠道，您依然可以获取经过严格质量把控的库存，为您的经典产品或长期项目提供持续稳定的核心部件支持。

选择STD3NM60-1，就是选择了一份经过市场长期验证的可靠性。它让您无需在性能与成本之间艰难权衡，其宽泛的工作温度范围（-65°C ~ 150°C）确保了在苛刻环境下的稳定运行。对于许多成熟、优化的设计而言，这颗芯片代表的不仅是参数，更是一种高性价比、低风险的解决方案。它帮助您简化设计流程，加速产品上市，最终让您的终端产品以更稳健的表现赢得市场信赖。

• 型号:STD3NM60-1
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:IPAK
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 600V 3A IPAK
• 包装:管件
• 产品状态:停产
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:600 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):3A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:1.5 欧姆 @ 1.5A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:5V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:14 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±30V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:324 pF @ 25 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:42W（Tc）
• 工作温度:-65°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:通孔
• 供应商器件封装:IPAK
• 封装/外壳:TO-251-3 短引线，IPAK，TO-251AA
• STD3NM60-1的订货细节及现货数量，欢迎跟我们的销售代表确认。