STD3PK50Z

在追求极致能效与可靠性的电力转换设计中，工程师们是否常常为寻找一款能在高压下稳定工作、同时兼顾低损耗与出色热性能的P沟道MOSFET而反复权衡？现在，答案变得前所未有的清晰。让我们向您隆重介绍意法半导体SuperMESH家族的杰出成员STD3PK50Z。这颗芯片不仅仅是一个组件，它是您提升系统整体性能、迈向更高能效等级的强力引擎。其高达500V的漏源电压耐受能力，为您的高压侧开关应用筑起了坚实的安全屏障，让您在应对复杂工况时充满信心。

想象一下，在您的开关电源（SMPS）、功率因数校正（PFC）电路或是照明镇流器设计中，STD3PK50Z正以其卓越的性能默默贡献力量。它采用先进的SuperMESH技术，将导通电阻（Rds(on)）优化至仅4欧姆（在1.4A, 10V条件下），这意味着更低的传导损耗和更少的热量产生。配合其高达70W的功率耗散能力，即使在严苛的连续工作环境下，也能保持冷静与稳定，有效延长产品寿命，减少散热设计的复杂性与成本。当您需要可靠的ST一级代理支持时，完善的供应链能确保这颗高性能芯片的稳定供应与技术支援。

选择STD3PK50Z，就是选择了一份经过市场验证的卓越与可靠。其DPAK封装不仅提供了优异的功率处理能力和散热特性，也兼容成熟的表面贴装工艺，让您的生产流程高效顺畅。尽管该型号已进入停产状态，但其经典的设计和稳定的性能使其在特定存量市场和需要高可靠性替代方案的应用中依然极具价值。它代表了意法半导体在高压MOSFET领域深厚的技术积淀，是您打造高效、紧凑、耐用电力电子产品的理想基石。让STD3PK50Z成为您下一个成功设计中的核心动力，开启能效与可靠性的新篇章。

• 型号:STD3PK50Z
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:DPAK
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET P-CH 500V 2.8A DPAK
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:停产
• FET 类型:P 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:500 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):2.8A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:4 欧姆 @ 1.4A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:4.5V @ 100A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:20 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±30V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:620 pF @ 25 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:70W（Tc）
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 供应商器件封装:DPAK
• 封装/外壳:TO-252-3，DPAK（2 引线 +耳片），SC-63
• STD3PK50Z的订货细节及现货数量，欢迎跟我们的销售代表确认。