STD40N2LH5

在追求极致效率的电源管理设计中，您是否曾为寻找一款能在紧凑空间内稳定输出大电流、同时保持低温升的功率开关而烦恼？今天，我们为您带来的STD40N2LH5，正是意法半导体STripFET V系列中的一颗明星产品，它完美诠释了“小身材，大能量”的设计哲学。凭借其仅11.8毫欧的超低导通电阻，在20A电流、10V驱动条件下，它能将导通损耗降至极低，这意味着更少的能量浪费为热量，更高的系统整体效率，以及更可靠的长期运行表现。

想象一下，在您的DC-DC转换器、电机驱动板或电池保护电路中，这颗N沟道MOSFET能够轻松应对高达40A的连续电流。其5V的低驱动电压门槛，让它可以与现代主流微控制器和驱动IC无缝协作，简化您的驱动电路设计。无论是服务器电源中需要快速切换的同步整流应用，还是电动工具中要求强劲爆发力的电机控制，甚至是汽车辅助系统中对温度范围极为苛刻的负载开关，STD40N2LH5都能凭借其25V的耐压、高达175°C的结温工作能力以及DPAK封装带来的优良散热特性，成为您系统中坚不可摧的功率基石。选择它，就是为您的产品选择了一份从容应对高负荷挑战的保障。

为何众多工程师在面临关键功率路径设计时，会倾向于信赖这款产品？答案在于其背后强大的技术基因与稳定供应。作为ST意法半导体经典STripFET V家族的一员，它继承了该系列在开关性能与导通损耗之间取得的卓越平衡。虽然该型号已进入停产状态，但通过正规的ST授权代理渠道，您依然可以获取经过严格质量检验的可靠库存，确保项目延续性与生产安全。这颗芯片不仅仅是一个电子元件，它更是提升您终端产品性能、可靠性与市场竞争力的关键伙伴。当您需要一款能扛起大电流重任、效率出众且久经考验的MOSFET时，STD40N2LH5无疑是经过市场验证的明智之选。

• 型号:STD40N2LH5
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:DPAK
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 25V 40A DPAK
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:停产
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:25 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):40A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:5V，10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:11.8 毫欧 @ 20A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:1V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:6.3 nC @ 5 V
• Vgs（最大值）:±22V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:700 pF @ 20 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:35W（Tc）
• 工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 供应商器件封装:DPAK
• 封装/外壳:TO-252-3，DPAK（2 引线 +耳片），SC-63
• STD40N2LH5的订货细节及现货数量，欢迎跟我们的销售代表确认。