STD40P3LLH6

在追求极致能效的电源管理设计中，您是否还在为寻找一款既能承载大电流，又能保持低导通损耗的P沟道MOSFET而烦恼？今天，我们为您带来一个经过市场验证的卓越解决方案STD40P3LLH6。这款来自意法半导体STripFET H6系列的明星产品，以其30V的耐压和高达40A的连续漏极电流能力，重新定义了中低压大电流应用的可能性。它不仅仅是一个开关，更是您提升系统整体效率、实现产品差异化的关键动力引擎。

想象一下，在您的同步整流电路、电机驱动模块或高密度DC-DC转换器中，STD40P3LLH6正发挥着核心作用。其低至15毫欧的导通电阻（在10V Vgs，20A条件下），意味着在开关过程中，能量以热形式耗散的部分被大幅削减，更多的电能被高效地输送到负载端。这不仅直接降低了系统的温升，提升了长期运行的可靠性，更能让您的终端产品在能效比拼中脱颖而出，满足日益严苛的绿色节能标准。无论是服务器电源、工业自动化设备，还是新能源领域的储能逆变器，它都能游刃有余，提供稳定而强劲的电流控制。

选择STD40P3LLH6，就是选择了一份经过时间淬炼的可靠与高效。它采用成熟的DPAK封装，易于焊接和散热管理，其宽广的工作温度范围（-55°C至175°C结温）确保了在恶劣环境下依然性能坚挺。虽然该型号已处于停产状态，但其卓越的性能指标和广泛的应用基础，使其成为特定存量项目升级或追求极致稳定性的不二之选。通过我们值得信赖的ST授权代理，您不仅能获得正品保障和具有竞争力的库存支持，更能得到专业的技术选型建议，确保这颗性能强悍的“心脏”在您的系统中完美匹配，持续释放价值。让STD40P3LLH6成为您攻克电源设计挑战、打造市场领先产品的秘密武器。

• 型号:STD40P3LLH6
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:DPAK
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET P-CH 30V 40A DPAK
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:停产
• FET 类型:P 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:30 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):40A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:4.5V，10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:15 毫欧 @ 20A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:2.5V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:24 nC @ 4.5 V
• Vgs（最大值）:±20V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:2615 pF @ 25 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:60W（Tc）
• 工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 供应商器件封装:DPAK
• 封装/外壳:TO-252-3，DPAK（2 引线 +耳片），SC-63
• STD40P3LLH6的订货细节及现货数量，欢迎跟我们的销售代表确认。