STD44N4LF6

在追求极致能效的电力电子世界，您是否还在为开关损耗和散热问题而烦恼？想象一下，一颗能够同时驾驭44A大电流与40V电压，却将导通电阻压缩至仅12.5毫欧的功率开关，它将如何重塑您的电源与电机驱动设计？答案就在STD44N4LF6。这款来自意法半导体STripFET VI家族的N沟道MOSFET，以其革命性的DeepGATE技术，为您带来了前所未有的低损耗与高可靠性体验。它不仅仅是一个开关，更是您提升系统整体效率、缩小产品体积并降低综合成本的强大引擎。

无论是服务器电源中要求严苛的同步整流，还是电动工具里需要瞬间爆发力的电机驱动，甚至是汽车辅助系统中不容有失的负载开关，STD44N4LF6都能游刃有余。其高达175°C的结温工作能力，确保了在高温恶劣环境下依然稳定如山，让您的产品无惧挑战。表面贴装的DPAK封装，兼顾了优异的散热性能与自动化生产的便利性，让从原型到量产的每一步都更加顺畅。当您需要可靠的技术支持和稳定的供货渠道时，我们的ST代理团队随时待命，为您提供从选型到量产的全方位服务。

选择STD44N4LF6，就是选择了一份经过市场验证的卓越性能。极低的栅极电荷（Qg）与输入电容（Ciss），意味着更快的开关速度和更低的驱动损耗，让您的开关电源轻松跨越能效门槛。5V的低驱动电压即可实现优异导通，使其与主流控制器完美匹配，简化您的设计。在竞争日益激烈的市场，这样一颗集高效率、高功率密度与高鲁棒性于一身的芯片，正是您打造下一代差异化产品的关键所在。让它成为您电路中的核心动力，开启高效、可靠且更具成本优势的创新之旅。

• 型号:STD44N4LF6
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:DPAK
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 40V 44A DPAK
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:在售
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:40 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):44A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:5V，10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:12.5 毫欧 @ 20A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:2.5V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:22 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±20V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:1190 pF @ 25 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:50W（Tc）
• 工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 供应商器件封装:DPAK
• 封装/外壳:TO-252-3，DPAK（2 引线 +耳片），SC-63
• STD44N4LF6的订货细节及现货数量，欢迎跟我们的销售代表确认。