STD4LN80K5

想象一下，当您的电源设计需要在高压环境下保持稳定高效，同时还要严格控制成本和空间，您是否在寻找一个能完美平衡性能与可靠性的解决方案？现在，答案就在眼前。我们隆重推出意法半导体MDmesh K5系列中的明星产品STD4LN80K5。这颗800V耐压、3A电流能力的N沟道功率MOSFET，正是为应对严苛挑战而生，它将卓越的能效与坚固的耐用性融为一体，为您的下一代产品注入强劲而稳定的核心动力。

无论是开关电源中的主功率开关，还是照明驱动、工业电机控制、家用电器中的功率转换环节，STD4LN80K5都能大显身手。其高达800V的漏源击穿电压，让它在应对电网波动或感性负载关断时产生的电压尖峰时游刃有余，极大地提升了系统的可靠性和安全性。表面贴装的DPAK封装不仅节省了宝贵的PCB空间，更便于自动化生产，加速您的产品上市进程。选择它，意味着您为产品选择了一份面对复杂应用环境的从容与自信。

为何众多工程师在高压应用中青睐STD4LN80K5？其核心秘密在于MDmesh K5创新技术。这项技术显著优化了器件的动态特性，在保持超低导通电阻的同时，大幅降低了栅极电荷和开关损耗。这意味着，您的系统不仅能以更低的导通损耗高效运行，还能在高速开关时减少热量产生，整体能效得到飞跃式提升。更低的损耗直接转化为更小的散热需求和更紧凑的终端产品设计，帮助您在性能和成本之间找到最佳平衡点。我们信赖的ST代理伙伴能为您提供全面的技术支持和稳定的供货保障，让您的创新之路畅通无阻。现在就采用STD4LN80K5，让它成为您提升产品竞争力、赢得市场的秘密武器。

• 型号:STD4LN80K5
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:DPAK
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CHANNEL 800V 3A DPAK
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:在售
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:800 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):3A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:2.6 欧姆 @ 1A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:5V @ 100A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:3.7 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±30V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:122 pF @ 100 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:60W（Tc）
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 供应商器件封装:DPAK
• 封装/外壳:TO-252-3，DPAK（2 引线 +耳片），SC-63
• STD4LN80K5的订货细节及现货数量，欢迎跟我们的销售代表确认。