STD4N80K5

在追求更高能效与可靠性的电源设计中，工程师们是否常常面临高压、高功率密度与系统稳定性难以兼得的挑战？今天，我们为您带来一个卓越的解决方案STD4N80K5。这颗源自ST意法半导体SuperMESH5家族的N沟道MOSFET，以其800V的卓越耐压能力和仅为2.5欧姆的低导通电阻，为您的高压开关应用注入强大动力。它不仅意味着更低的传导损耗和更高的整体效率，更代表着在严苛环境下依然稳定如一的性能承诺。

想象一下，在您的开关电源（SMPS）、功率因数校正（PFC）电路或照明镇流器设计中，STD4N80K5能够轻松应对高压母线，实现高效的能量转换。其优化的栅极电荷（Qg）和输入电容（Ciss）特性，确保了快速的开关速度和更低的驱动损耗，让您的系统响应更迅捷，温升更低。无论是工业电机驱动、UPS不间断电源，还是新能源领域的逆变器，这颗芯片都能成为您提升产品竞争力的核心引擎，让复杂的高压功率管理变得简单而可靠。

选择STD4N80K5，就是选择了一份经过市场验证的卓越品质与前瞻性技术。ST意法半导体的SuperMESH5技术，在击穿电压和导通电阻之间取得了完美平衡，这意味着您能以更具性价比的方案，获得顶级的能效表现。其DPAK封装兼顾了功率处理能力和空间利用率，表面贴装设计便于自动化生产，大幅提升您的制造效率。更重要的是，通过正规的ST授权代理渠道获取，您将获得原厂品质保证、稳定的供货支持以及专业的技术服务，彻底消除供应链与质量的后顾之忧。立即采用STD4N80K5，让它成为您下一代高性能电源设计中，最值得信赖的功率开关选择！

• 型号:STD4N80K5
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:DPAK
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 800V 3A DPAK
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:在售
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:800 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):3A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:2.5 欧姆 @ 1.5A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:5V @ 100A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:10.5 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±30V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:175 pF @ 100 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:60W（Tc）
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 供应商器件封装:DPAK
• 封装/外壳:TO-252-3，DPAK（2 引线 +耳片），SC-63
• STD4N80K5的订货细节及现货数量，欢迎跟我们的销售代表确认。