STD4NK50ZD-1

当您的电源设计需要在高压环境下保持稳定高效，同时还要兼顾成本与可靠性时，您是否在寻找一个值得信赖的解决方案？今天，我们向您隆重介绍来自ST意法半导体的高性能功率器件STD4NK50ZD-1。这款N沟道MOSFET，以其卓越的500V耐压能力和SuperMESH技术的加持，正是为应对严苛的开关应用而生。它不仅是一个电子元件，更是您提升产品性能、确保系统长期稳定运行的得力助手。

想象一下，在您的开关电源（SMPS）、功率因数校正（PFC）电路或照明镇流器中，一颗关键的功率开关器件正承受着高电压的冲击。这正是STD4NK50ZD-1大显身手的舞台。其高达500V的漏源电压（Vdss）为您提供了充足的安全裕度，有效抵御电网波动和感性负载带来的电压尖峰。同时，3A的连续漏极电流能力，确保了在主流的中等功率应用中游刃有余。无论是家用电器中的辅助电源，还是工业控制设备的电源模块，它都能以出色的能效和可靠性，成为您电路设计中沉默而强大的基石。

选择STD4NK50ZD-1，意味着您选择了经过市场验证的成熟技术。SuperMESH系列以其优化的单元结构和工艺，实现了低导通电阻（Rds(on)）与低栅极电荷（Qg）的完美平衡。这意味着更低的导通损耗和开关损耗，直接转化为更高的系统效率和更低的温升。其通孔IPAK封装，不仅提供了坚固的机械结构和优异的散热性能，也便于在原型设计和批量生产中进行焊接与测试。尽管该型号已处于停产状态，但其卓越的性能和广泛的应用基础，使其在库存充足的情况下，依然是许多经典和长生命周期产品设计的优选。如需获取可靠的供货渠道与技术支持，专业的ST芯片代理将是您坚实的后盾。

从-55°C到150°C的宽广工作结温范围，让STD4NK50ZD-1能够从容应对各种环境挑战。它不仅仅是一个参数表上的数字，更是承载着ST意法半导体对品质与性能承诺的载体。当您为下一个项目选型时，请将目光投向这颗集高耐压、高效率与高可靠性于一身的功率MOSFET，让它为您的创意注入稳定而强劲的动力，共同打造出更具市场竞争力的卓越产品。

• 型号:STD4NK50ZD-1
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:IPAK
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 500V 3A IPAK
• 包装:管件
• 产品状态:停产
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:500 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):3A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:2.7 欧姆 @ 1.5A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:4.5V @ 50A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:12 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±30V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:310 pF @ 25 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:45W（Tc）
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:通孔
• 供应商器件封装:IPAK
• 封装/外壳:TO-251-3 短引线，IPAK，TO-251AA
• STD4NK50ZD-1的订货细节及现货数量，欢迎跟我们的销售代表确认。