STD4NK50ZD

当您需要一款能够在高压环境下稳定运行，同时兼顾高效能与可靠性的功率开关解决方案时，是否曾为选型而困扰？现在，答案已经揭晓。我们隆重向您推荐意法半导体SuperMESH家族的明星产品STD4NK50ZD。这款N沟道MOSFET以其卓越的500V高耐压和优化的动态特性，专为应对严苛的工业与消费类应用而生，旨在为您的设计注入强劲动力与持久信心。

想象一下，在开关电源、电机驱动、照明镇流器或适配器等关键应用中，STD4NK50ZD能够轻松驾驭高压切换。其采用的先进SuperMESH技术，在保持低栅极电荷（Qg仅12nC）的同时，实现了优异的导通电阻特性。这意味着更低的开关损耗和导通损耗，直接转化为更高的系统整体效率，让您的终端产品在能效表现上脱颖而出，同时有效控制温升，提升长期运行的稳定性。其坚固的DPAK封装和高达45W的功率耗散能力，更是为高功率密度设计提供了坚实的物理保障。

选择STD4NK50ZD，就是选择了一份经过市场验证的卓越性能与可靠性。它不仅仅是一个元件，更是您提升产品竞争力、缩短开发周期的得力伙伴。无论是升级现有方案还是开拓全新设计，它都能以其稳定的表现，助您一臂之力。为了确保您能获得原装正品与全面的技术支持，我们强烈建议您通过官方授权的ST一级代理进行采购，从而保障供应链的顺畅与项目实施的万无一失。立即行动，让STD4NK50ZD成为您下一个成功产品的核心引擎！

• 型号:STD4NK50ZD
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:DPAK
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 500V 3A DPAK
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:停产
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:500 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):3A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:2.7 欧姆 @ 1.5A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:4.5V @ 50A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:12 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±30V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:310 pF @ 25 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:45W（Tc）
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 供应商器件封装:DPAK
• 封装/外壳:TO-252-3，DPAK（2 引线 +耳片），SC-63
• STD4NK50ZD的订货细节及现货数量，欢迎跟我们的销售代表确认。