STD4NK60ZT4

在追求更高能效与可靠性的电源设计中，您是否曾为开关损耗和热管理问题所困扰？现在，让我们向您介绍一款能够彻底改变这一局面的解决方案STD4NK60ZT4。这款来自ST意法半导体的高性能MOSFET，以其卓越的SuperMESH技术，为您带来前所未有的效率提升和系统稳定性。它不仅是一个电子元件，更是您提升产品竞争力、降低运营成本的强大引擎。

想象一下，在您的开关电源（SMPS）、照明镇流器或电机驱动电路中，STD4NK60ZT4正发挥着核心作用。其600V的漏源电压和4A的连续漏极电流，轻松应对各种高压应用场景，无论是家用电器中的辅助电源，还是工业设备中的功率转换单元，它都能确保能量高效、平稳地传输。更低的导通电阻（RdsOn）意味着更少的能量以热的形式浪费，让您的设备运行更凉爽、寿命更长久。选择它，就是为您的产品注入了持久耐用的基因。

为什么众多工程师在面临关键选型时，会毫不犹豫地青睐这款芯片？答案在于其背后精密的平衡艺术。它在降低栅极电荷（Qg）和输入电容（Ciss）方面表现出色，这直接转化为更快的开关速度和更低的驱动损耗，让您的系统频率可以更高，响应更迅捷。同时，高达150°C的结温（TJ）和70W的功率耗散能力，赋予了它强大的过载和高温工作韧性，即使在苛刻的环境下也能稳定输出。这一切卓越性能，都源自ST深厚的技术积淀和严格的质量控制，通过遍布全球的ST授权代理网络，您可以轻松获得正品保障与专业的技术支持。让STD4NK60ZT4成为您下一个成功设计的基石，开启高效、可靠的电能转换新篇章。

• 型号:STD4NK60ZT4
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:DPAK
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 600V 4A DPAK
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:不适用于新设计
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:600 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):4A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:2 欧姆 @ 2A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:4.5V @ 50A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:26 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±30V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:510 pF @ 25 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:70W（Tc）
• 工作温度:150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 供应商器件封装:DPAK
• 封装/外壳:TO-252-3，DPAK（2 引线 +耳片），SC-63
• STD4NK60ZT4的订货细节及现货数量，欢迎跟我们的销售代表确认。