STD4NK80ZT4

在追求更高能效和更紧凑设计的电源方案中，工程师们是否常常面临高压、高可靠性与低损耗难以兼得的挑战？现在，答案来了。意法半导体SuperMESH家族的最新力作STD4NK80ZT4，正是为攻克此类难题而生。它不仅仅是一颗MOSFET，更是您提升系统性能、降低整体成本、并赢得市场竞争力的关键引擎。其800V的卓越耐压能力，为您的设计提供了坚固的安全边际，轻松应对电网波动和感性负载带来的电压尖峰，让系统运行稳如磐石。

想象一下，在开关电源、照明驱动、工业电机控制以及家用电器等广泛的应用场景中，STD4NK80ZT4都能大显身手。它凭借先进的SuperMESH技术，实现了极低的导通电阻（Rds(on)）和栅极电荷（Qg），这意味着更低的导通损耗和开关损耗。在您的下一个反激式转换器或PFC电路中，这颗芯片能显著提升整机效率，减少热量产生，从而允许您使用更小的散热器甚至实现无散热片设计，直接助力产品小型化和轻量化。选择它，就是选择了一条通往更高功率密度和更优热管理的捷径。

为何众多领先企业都将STD4NK80ZT4作为首选？理由清晰而有力。其一，它提供了无与伦比的性价比，在800V/3A这个关键规格上做到了性能与成本的完美平衡。其二，其坚固的DPAK封装和宽达-55°C至150°C的工作结温范围，确保了在恶劣环境下依然稳定可靠，大幅提升了产品的耐用性和市场声誉。其三，源自意法半导体的卓越品质和全球供应链保障，让您的量产计划高枕无忧。当您需要可靠的技术支持和供货保障时，专业的ST代理商将是您值得信赖的合作伙伴。选择STD4NK80ZT4，不仅是选择了一颗优秀的元器件，更是为您的产品注入了高效、可靠与创新的基因，助您在激烈的市场竞争中脱颖而出。

• 型号:STD4NK80ZT4
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:DPAK
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 800V 3A DPAK
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:在售
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:800 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):3A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:3.5 欧姆 @ 1.5A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:4.5V @ 50A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:22.5 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±30V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:575 pF @ 25 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:80W（Tc）
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 供应商器件封装:DPAK
• 封装/外壳:TO-252-3，DPAK（2 引线 +耳片），SC-63
• STD4NK80ZT4的订货细节及现货数量，欢迎跟我们的销售代表确认。