STD5N52K3

在追求极致能效的今天，您的电源设计是否还在为开关损耗和散热问题所困扰？想象一下，一颗MOSFET能够在525V的高压下，仅以1.5欧姆的超低导通电阻稳定工作，这不仅仅是参数的提升，更是系统效率的飞跃和可靠性的坚实保障。这正是STD5N52K3为您带来的核心价值。它不仅仅是一个开关器件，更是您构建高效、紧凑、可靠电源系统的基石。

无论是服务器电源、工业电机驱动，还是高要求的LED照明和充电桩应用，STD5N52K3都能游刃有余。其高达4.4A的连续漏极电流和70W的强大功率处理能力，意味着它能在严苛的工况下持续稳定输出，让您的终端产品无惧挑战。表面贴装的DPAK封装，不仅节省了宝贵的PCB空间，更优化了散热路径，让高功率密度设计成为可能。当您需要一款能在-55°C到150°C宽温范围内稳定工作的可靠伙伴时，它就是那个不会让您失望的选择。

选择STD5N52K3，就是选择意法半导体引以为傲的SuperMESH3技术。这项技术精髓在于大幅降低了导通电阻和栅极电荷，直接带来了更低的传导损耗和开关损耗。这意味着您的系统发热更少，效率更高，整体运行更凉爽、更安静。对于设计工程师而言，这简化了热管理设计，降低了系统成本，同时提升了产品的市场竞争力。如果您正在寻找值得信赖的供应链伙伴，专业的ST代理商能为您提供从选型支持到稳定供货的全方位服务，确保您的创新想法顺利转化为成功的产品。让STD5N52K3成为您下一个明星产品的强大心脏，开启能效新纪元。

• 型号:STD5N52K3
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:DPAK
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 525V 4.4A DPAK
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:在售
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:525 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):4.4A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:1.5 欧姆 @ 2.2A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:4.5V @ 50A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:17 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±30V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:545 pF @ 100 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:70W（Tc）
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 供应商器件封装:DPAK
• 封装/外壳:TO-252-3，DPAK（2 引线 +耳片），SC-63
• STD5N52K3的订货细节及现货数量，欢迎跟我们的销售代表确认。