STD5N62K3

在追求更高能效与更紧凑设计的今天，您的电源方案是否还在为开关损耗和散热问题所困扰？想象一下，一颗能够同时驾驭620V高压与4.2A电流，并将导通电阻控制在极低水平的功率MOSFET，将为您的产品带来怎样的性能飞跃？答案就在STD5N62K3之中。

这颗源自意法半导体SuperMESH3家族的明星产品，天生就是为了解决高效与可靠的矛盾而来。它采用先进的MOSFET技术，在高达620V的漏源电压下依然保持稳定，70W的功率耗散能力确保了其在严苛工况下的持久耐力。更令人印象深刻的是，其极低的栅极电荷（Qg）和输入电容（Ciss），意味着开关速度更快，开关损耗显著降低，让您的系统整体效率轻松提升一个台阶。无论是面对频繁的开关动作，还是需要处理瞬间大电流，它都能游刃有余，将电能更纯净、更高效地传递到负载端。

它的舞台遍布各类需要高效功率转换的领域。在开关电源（SMPS）中，它是构成反激、正激等拓扑的核心开关，助力适配器、PC电源实现更高功率密度和80Plus能效等级。在照明领域，无论是LED驱动还是HID电子镇流器，其优异的性能都能确保光线稳定、高效输出，延长灯具寿命。对于电机驱动、工业控制设备乃至电动汽车的辅助电源系统，STD5N62K3的宽工作温度范围（-55°C至150°C）和坚固的DPAK封装，提供了应对复杂环境挑战的底气。选择它，就是为您的产品注入了来自意法半导体的高可靠性基因。

那么，为何众多工程师将信赖票投给STD5N62K3？原因在于它实现了性能与成本的绝佳平衡。它不仅仅是一个参数优秀的晶体管，更是一个经过市场验证的解决方案。其1.6欧姆的低导通电阻直接转化为更小的导通损耗，意味着更低的温升和更简单的散热设计，从而节省系统空间与成本。同时，与可靠的ST中国代理合作，您可以获得稳定的供货保障、专业的技术支持以及完整的产品链资源，让您的项目从设计到量产都畅通无阻。在竞争激烈的市场里，一个稳定、高效、易于采购的核心器件，无疑是您产品脱颖而出的秘密武器。让STD5N62K3成为您下一个成功设计的强大心脏。

• 型号:STD5N62K3
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:DPAK
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 620V 4.2A DPAK
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:在售
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:620 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):4.2A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:1.6 欧姆 @ 2.1A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:4.5V @ 50A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:26 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±30V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:680 pF @ 50 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:70W（Tc）
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 供应商器件封装:DPAK
• 封装/外壳:TO-252-3，DPAK（2 引线 +耳片），SC-63
• STD5N62K3的订货细节及现货数量，欢迎跟我们的销售代表确认。