STD5NK50ZT4

在追求更高能效与可靠性的电源设计中，您是否曾为开关损耗和散热问题所困扰？想象一下，一颗能在500V高压下稳定工作，同时将导通电阻控制在极低水平的功率MOSFET，将如何彻底改变您的产品性能？今天，我们为您带来的正是这样一款划时代的解决方案STD5NK50ZT4。它不仅仅是一个电子元件，更是您提升系统效率、赢得市场竞争力的关键钥匙。

源自ST意法半导体备受赞誉的SuperMESH技术平台，这颗芯片天生就拥有卓越的基因。其1.5欧姆的超低导通电阻（在10V驱动电压下），意味着在相同的电流通过时，产生的热量更少，能量损耗显著降低。这直接转化为更凉爽的运行温度、更长的器件寿命以及整体系统能效的跃升。高达4.4A的连续漏极电流承载能力和70W的功率耗散能力，赋予了它应对严苛工况的强健体魄，无论是应对瞬间浪涌还是持续高负荷，都显得游刃有余。其快速的开关特性，得益于优化的栅极电荷设计，让您的电源拓扑能够工作在更高频率，从而可以使用更小、更轻的磁性元件，有效缩减产品体积与成本。

当我们将目光投向实际应用，STD5NK50ZT4的身影活跃在各种需要高效功率转换的领域。在开关电源（SMPS）中，它是初级侧PWM控制器的理想搭档，无论是家用电器适配器、工业电源还是LED驱动，都能确保电能的高效、纯净转换。在功率因数校正（PFC）电路中，它帮助系统满足严格的能效法规，降低电网谐波污染。对于电机驱动、镇流器乃至一些新兴的能源回收系统，其500V的高耐压和稳定的性能都是可靠运行的基石。选择它，就是为您的产品注入了高效与稳定的双重保障。

那么，在众多同类产品中，为何最终锁定STD5NK50ZT4？答案在于它实现了性能、可靠性与成本的精妙平衡。ST意法半导体的品牌信誉和成熟的SuperMESH工艺，确保了每一颗芯片都具备一致的高品质和长期供货稳定性。其DPAK封装兼顾了优异的散热性能和自动化贴装的生产便利性，非常适合现代电子制造的需求。更重要的是，通过与值得信赖的ST授权代理合作，您不仅能获得正品保障和具有竞争力的价格，还能得到专业的技术支持与供应链服务，让您的产品从设计到量产全程无忧。立即行动，让STD5NK50ZT4成为您下一个爆款产品的强大心脏！

• 型号:STD5NK50ZT4
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:DPAK
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 500V 4.4A DPAK
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:在售
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:500 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):4.4A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:1.5 欧姆 @ 2.2A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:4.5V @ 50A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:28 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±30V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:535 pF @ 25 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:70W（Tc）
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 供应商器件封装:DPAK
• 封装/外壳:TO-252-3，DPAK（2 引线 +耳片），SC-63
• STD5NK50ZT4的订货细节及现货数量，欢迎跟我们的销售代表确认。