STD60NF3LLT4

在追求极致能效的电力转换系统中，您是否曾为寻找一款既能承载大电流又具备出色开关性能的功率器件而困扰？今天，我们为您带来一个经过市场验证的经典解决方案STD60NF3LLT4。这款来自ST意法半导体的N沟道MOSFET，以其高达60A的连续漏极电流和仅为9.5毫欧的超低导通电阻，为您的设计注入澎湃动力，同时将能量损耗降至最低。它不仅仅是一个元器件，更是您提升产品竞争力、实现能效突破的关键伙伴。

想象一下，在紧凑的DC-DC转换器模块中，空间极其有限，散热挑战巨大。STD60NF3LLT4凭借其DPAK封装和STripFET II技术的加持，能够在狭小空间内稳定处理高达100W的功率耗散。无论是服务器电源、电动工具电机驱动，还是高密度LED照明驱动，这颗芯片都能游刃有余地应对频繁的开关动作和严苛的电流冲击。其宽广的-55°C至175°C结温工作范围，确保了从工业严寒到设备内部高温环境的全天候可靠运行，让您的产品无惧环境挑战，稳定如一。

选择STD60NF3LLT4，就是选择了一份经过时间淬炼的可靠性与卓越性能的保障。虽然该型号已进入停产状态，但其成熟的设计和出色的参数表现，使其成为许多经典和现有项目升级、维护或寻找可靠替代方案的绝佳选择。其4.5V的低驱动电压门槛，让您的控制电路设计更为轻松，而极低的栅极电荷（仅40nC）则意味着更快的开关速度和更低的驱动损耗，直接提升了系统的整体响应速度与效率。当您需要为关键项目寻找稳定可靠的ST功率器件时，通过值得信赖的ST授权代理进行采购，不仅能确保获得正品货源，还能获得专业的技术支持与供应链保障，让您的创新之旅后顾无忧。

• 型号:STD60NF3LLT4
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:DPAK
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 30V 60A DPAK
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:停产
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:30 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):60A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:4.5V，10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:9.5 毫欧 @ 30A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:1V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:40 nC @ 4.5 V
• Vgs（最大值）:±16V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:2210 pF @ 25 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:100W（Tc）
• 工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 供应商器件封装:DPAK
• 封装/外壳:TO-252-3，DPAK（2 引线 +耳片），SC-63
• STD60NF3LLT4的订货细节及现货数量，欢迎跟我们的销售代表确认。