STD6N52K3

在追求更高能效与更紧凑设计的今天，您的电源方案是否还在为功率器件的性能与可靠性而妥协？让我们为您带来一个颠覆性的答案STD6N52K3。这款来自ST意法半导体SuperMESH3家族的N沟道MOSFET，以其525V的高耐压和5A的连续电流能力，正在重新定义中高功率应用的性能标杆。它不仅是一颗晶体管，更是您提升产品竞争力、实现能效飞跃的关键引擎。

想象一下，在开关电源、电机驱动、工业照明或适配器设计中，STD6N52K3能够轻松应对严苛的电压应力。其卓越的1.2欧姆低导通电阻（在10V驱动下），意味着更低的传导损耗和更少的热量产生，让您的系统运行得更凉爽、更持久。高达70W的功率耗散能力和150°C的结温，赋予了它无与伦比的鲁棒性，即使在环境复杂的工业现场也能稳定输出。选择它，就是为您的产品注入了ST领先的半导体基因。

为何众多领先厂商在关键项目中信赖STD6N52K3？答案在于其带来的综合价值。表面贴装的DPAK封装，兼顾了功率处理能力与PCB空间节省，非常适合自动化生产。10V的标准驱动电压使其易于控制，与主流控制器完美匹配。更重要的是，通过我们专业的ST授权代理，您不仅能获得原装正品保障和具有竞争力的价格，还能得到从选型支持到技术方案的全链路服务。这不仅仅是购买一颗芯片，更是获得了一个值得信赖的合作伙伴，共同将您的创意转化为市场上高效、可靠的成功产品。

• 型号:STD6N52K3
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:DPAK
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 525V 5A DPAK
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:在售
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:525 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):5A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:1.2 欧姆 @ 2.5A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:4.5V @ 100A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:-
• Vgs（最大值）:±30V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:-
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:70W（Tc）
• 工作温度:150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 供应商器件封装:DPAK
• 封装/外壳:TO-252-3，DPAK（2 引线 +耳片），SC-63
• STD6N52K3的订货细节及现货数量，欢迎跟我们的销售代表确认。