STD6N62K3

在追求极致能效与可靠性的电力电子设计中，您是否曾为高压开关应用的性能瓶颈而困扰？当系统需要在高电压下稳定处理数安培电流时，每一次开关的损耗、每一次温升的挑战，都直接关系到产品的最终表现与市场竞争力。现在，这一切都有了更优解来自ST意法半导体SuperMESH3家族的明星产品STD6N62K3，正以其卓越的性能，重新定义高压N沟道MOSFET的价值标准。

这颗芯片的核心魅力，在于其精妙的平衡艺术。它拥有高达620V的漏源击穿电压，为您的离线电源、功率因数校正（PFC）电路构筑了坚实的安全屏障，从容应对电网波动。同时，在10V驱动电压下，其导通电阻（Rds(on)）低至优异水平，这意味着在传导过程中产生的热量更少，电能得以更高效地传输。更低的栅极电荷（Qg）和输入电容（Ciss）则带来了显著的开关性能提升，不仅减少了开关损耗，让整体效率再上一个台阶，也降低了对驱动电路的要求，让设计变得更简洁、更快速。这一切优势，都封装在经典的DPAK表面贴装封装内，兼顾了功率处理能力与PCB空间利用率。

想象一下，STD6N62K3正在哪些场景中大放异彩？在服务器电源和工业电源中，它是保障持续稳定输出的关键开关；在LED照明驱动器和适配器里，它助力实现更高的能效等级与更紧凑的尺寸；在电机控制辅助电源中，它确保控制回路干净可靠。其高达150°C的结温工作能力和90W的功率耗散，赋予了产品无与伦比的鲁棒性，即使在严苛的环境下也能长期稳定运行。选择它，就是为您的产品注入了高可靠性与高能效的基因。

那么，为何众多工程师将STD6N62K3作为首选？答案在于其带来的综合价值超越。它不仅仅是一个参数优秀的晶体管，更是ST意法半导体先进SuperMESH3技术的结晶，这项技术专为优化高压应用中的开关性能而生。这意味着您获得的是一颗经过市场验证、性能卓越且供货稳定的核心器件。对于国内客户而言，通过权威的ST中国代理进行采购，不仅能确保获得原装正品，还能享受到专业的技术支持、快捷的物流服务和有竞争力的价格，让您的项目从研发到量产全程无忧。立即体验STD6N62K3，用它开启您下一个高效、可靠电源设计的新篇章。

• 型号:STD6N62K3
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:DPAK
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 620V 5.5A DPAK
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:在售
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:620 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):5.5A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:1.28 欧姆 @ 2.8A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:4.5V @ 50A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:25.7 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±30V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:706 pF @ 50 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:90W（Tc）
• 工作温度:150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 供应商器件封装:DPAK
• 封装/外壳:TO-252-3，DPAK（2 引线 +耳片），SC-63
• STD6N62K3的订货细节及现货数量，欢迎跟我们的销售代表确认。