STD6N90K5

当您的电源设计需要在高压环境下保持稳定高效，同时还要严格控制成本和尺寸时，您是否曾为寻找一颗可靠的功率开关而烦恼？现在，答案就在眼前。我们隆重向您推荐意法半导体MDmesh K5系列中的明星产品STD6N90K5。这颗900V、6A的N沟道MOSFET，专为应对严苛的开关电源应用而生，它不仅仅是一个电子元件，更是您提升产品竞争力、实现设计突破的关键伙伴。

想象一下，在您的服务器电源、工业电机驱动或是高功率LED照明系统中，STD6N90K5正以其卓越的性能默默工作。它高达900V的漏源电压（Vdss）提供了充足的安全裕量，轻松应对电网波动和感性负载带来的电压尖峰，让您的系统运行更加安心。其采用的先进MDmesh K5技术，在导通电阻（Rds(on)）和栅极电荷（Qg）之间取得了精妙平衡，这意味着更低的导通损耗和开关损耗，直接转化为更高的整机效率和更低的温升。无论是面对连续工作的高温挑战，还是需要快速响应的开关频率，它都能游刃有余。

选择STD6N90K5，就是选择了一份来自意法半导体的品质承诺和经过市场验证的可靠性。其DPAK封装兼顾了优异的散热性能和紧凑的占板面积，非常适合空间受限的现代电子设备。高达110W的功率耗散能力，确保了它在高负荷下的持久稳定性。从-55°C到150°C的宽广工作结温范围，让它能适应从寒带到热带的各类应用环境。当您需要可靠的技术支持和稳定的供货渠道时，请认准官方授权的ST中国代理，他们将为您提供从选型到量产的全方位服务。让STD6N90K5成为您下一个成功产品的强大心脏，开启高效、可靠、节能的新篇章。

• 型号:STD6N90K5
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:DPAK
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 900V 6A DPAK
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:在售
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:900 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):6A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:1.1 欧姆 @ 3A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:5V @ 100A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:-
• Vgs（最大值）:±30V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:-
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:110W（Tc）
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 供应商器件封装:DPAK
• 封装/外壳:TO-252-3，DPAK（2 引线 +耳片），SC-63
• STD6N90K5的订货细节及现货数量，欢迎跟我们的销售代表确认。