STD6NF10T4

想象一下，您的下一个电源转换或电机驱动项目，能否在效率、可靠性和成本之间找到那个完美的平衡点？这正是STD6NF10T4被设计出来的初衷。作为意法半导体STripFET家族的杰出成员，这颗N沟道功率MOSFET以其100V的耐压和6A的连续电流能力，为您提供了一个坚实而高效的开关解决方案。它不仅仅是一个元件，更是您提升产品性能、优化系统设计的得力助手。

无论是紧凑型开关电源中的高频开关，还是电机驱动电路中的精准控制，STD6NF10T4都能游刃有余。其低至250毫欧的导通电阻（在10V驱动下），意味着更低的导通损耗和更少的热量产生，让您的设备运行更凉爽、更持久。在DC-DC转换器、电池保护电路、LED照明驱动或是电动工具中，它都能确保能量以最高效的方式传递，直接转化为产品的续航优势与稳定表现。

选择STD6NF10T4，就是选择了一份来自意法半导体的品质承诺。其宽广的工作温度范围（-65°C至175°C）和坚固的DPAK封装，确保了它在各种严苛环境下都能稳定工作。更低的栅极电荷和输入电容，让驱动变得简单高效，进一步简化了您的电路设计。当您需要可靠的原厂品质与及时的技术支持时，我们的ST中国代理团队始终是您最值得信赖的伙伴，为您提供从选型到量产的全方位服务。让STD6NF10T4成为您下一个成功产品的核心动力，开启高效可靠的新篇章。

• 型号:STD6NF10T4
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:DPAK
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 100V 6A DPAK
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:停产
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:100 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):6A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:250 毫欧 @ 3A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:4V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:14 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±20V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:280 pF @ 25 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:30W（Tc）
• 工作温度:-65°C ~ 175°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 供应商器件封装:DPAK
• 封装/外壳:TO-252-3，DPAK（2 引线 +耳片），SC-63
• STD6NF10T4的订货细节及现货数量，欢迎跟我们的销售代表确认。