STD70N10F4

在追求极致能效与可靠性的电力电子设计中，您是否曾为寻找一款既能承载大电流，又能保持超低损耗的功率开关而反复权衡？现在，答案来了。我们隆重向您介绍STD70N10F4，这款来自ST意法半导体的N沟道功率MOSFET，正是为突破效率瓶颈而生。它不仅仅是一个元器件，更是您提升产品性能、降低系统热耗、赢得市场竞争力的关键引擎。

想象一下，在您的电机驱动、DC-DC转换器或高频开关电源中，一颗芯片需要同时应对高电压、大电流的严苛考验。STD70N10F4凭借其100V的漏源电压和高达60A的连续漏极电流能力，为您的设计提供了坚实的功率基础。更令人振奋的是，其导通电阻（Rds(on)）在10V驱动下低至19.5毫欧，这意味着在电流通过时产生的热量损耗被大幅削减，直接转化为更高的系统效率和更长的运行寿命。无论是工业自动化设备中驱动伺服电机，还是新能源领域中的车载充电器，它都能游刃有余，确保动力澎湃而稳定。

选择STD70N10F4，就是选择了一份来自尖端技术的保障。它采用了ST引以为傲的STripFET和DeepGATE技术，这些专利工艺确保了芯片在更小的硅片面积上实现更优的电气特性。其极低的栅极电荷（Qg）和输入电容（Ciss），让开关速度更快，开关损耗更低，特别适合高频应用场景，让您的电源设计轻松迈向更高频率、更小体积的新境界。高达175°C的结温工作范围和125W的强大功率耗散能力，赋予了它卓越的热稳定性和可靠性，即使在恶劣环境下也能持续稳定输出。当您需要可靠、高效的功率解决方案时，选择与专业的ST芯片代理合作，无疑是获取正品保障和技术支持的最佳途径。

从消费类电子到工业级设备，从提升能效到缩小体积，STD70N10F4的价值贯穿于产品创新的每一个环节。它不仅仅满足了参数表上的需求，更以卓越的性能释放了设计的无限潜能。当您将这颗芯片融入您的下一个项目，您收获的将不仅是电路的稳定运行，更是产品整体竞争力的显著提升，以及市场先机的牢牢把握。现在就行动，让STD70N10F4成为您征服功率挑战的得力伙伴。

• 型号:STD70N10F4
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:DPAK
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 100V 60A DPAK
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:最后售卖
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:100 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):60A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:19.5 毫欧 @ 30A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:4V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:85 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±20V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:5800 pF @ 25 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:125W（Tc）
• 工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 供应商器件封装:DPAK
• 封装/外壳:TO-252-3，DPAK（2 引线 +耳片），SC-63
• STD70N10F4的订货细节及现货数量，欢迎跟我们的销售代表确认。