STD75N3LLH6

想象一下，您正在设计一款需要处理大电流的电源模块或电机驱动电路，效率每提升1%，都意味着更长的续航、更低的发热和更强的市场竞争力。此刻，一颗性能卓越的功率开关器件就是您方案成败的关键。而STD75N3LLH6，正是为应对此类严苛挑战而生的得力干将。

它绝不仅仅是一个参数表上的数字。当您深入了解，会发现其核心价值在于将高性能与易用性完美融合。基于ST意法半导体先进的STripFET VI技术和DeepGATE工艺，这颗N沟道MOSFET在仅30V的漏源电压下，却能持续承载高达75A的电流，其导通电阻低至惊人的5.5毫欧。这意味着什么？意味着在开关和导通过程中，电能损耗被大幅削减，更多的能量被高效地输送到负载端，而不是以热量的形式白白浪费。这不仅直接提升了您终端产品的整体能效，更让散热设计变得更为从容，系统可靠性得以显著增强。

这种卓越的性能，让STD75N3LLH6在众多应用场景中游刃有余。无论是服务器和数据中心里要求极高效率的DC-DC转换器，还是电动工具、无人机中需要强劲爆发力的电机驱动，亦或是汽车电子中的辅助电源管理，它都能稳定担当功率切换的核心角色。其宽广的工作温度范围（-55°C至175°C）确保了它在极端环境下依然稳定可靠，而DPAK封装则兼顾了功率处理能力与PCB空间占用的平衡，非常适合高密度板卡设计。如果您正在寻找可靠的ST芯片代理合作伙伴，以确保此类高性能器件的稳定供应与技术支持，那么选择拥有深厚行业积累的伙伴至关重要。

那么，在纷繁的元器件市场中，为何要特别关注STD75N3LLH6呢？答案在于它提供的“价值密度”。在相似的性能等级中，它通过优化的设计，帮助您以更少的器件数量或更简化的电路架构实现目标功能，从而节省宝贵的布板空间和BOM成本。虽然其零件状态显示为停产，但对于许多成熟、稳定且需求量大的工业及消费类产品线而言，通过可靠的渠道依然能获得持续的供应支持，这恰恰是保障产品生命周期稳定性的关键。选择它，就是选择了一个经过市场长期验证的高效、可靠的功率解决方案，让您的产品在性能与成本之间找到最佳平衡点，从而在市场竞争中占据先机。

• 型号:STD75N3LLH6
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:DPAK
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 30V 75A DPAK
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:停产
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:30 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):75A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:4.5V，10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:5.5 毫欧 @ 37.5A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:2.5V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:17 nC @ 4.5 V
• Vgs（最大值）:±20V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:1690 pF @ 25 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:60W（Tc）
• 工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 供应商器件封装:DPAK
• 封装/外壳:TO-252-3，DPAK（2 引线 +耳片），SC-63
• STD75N3LLH6的订货细节及现货数量，欢迎跟我们的销售代表确认。