STD78N75F4

在追求极致效率的电源与电机驱动设计中，您是否还在为开关损耗和散热问题而烦恼？想象一下，一款能够承载78A强劲电流，同时将导通电阻压降至仅11毫欧的功率开关，将如何彻底改变您的系统性能与可靠性。现在，答案就在STD78N75F4。这款来自ST意法半导体的N沟道功率MOSFET，以其卓越的DeepGATE和STripFET技术，为您带来前所未有的高效能体验。

无论是服务器电源中需要稳定高效的能量转换，还是工业电机驱动中要求瞬间爆发大扭矩，STD78N75F4都能轻松胜任。其75V的漏源电压和高达78A的连续漏极电流，为您的DC-DC转换器、电机控制器、UPS系统以及各类大电流开关应用提供了坚实的核心保障。在紧凑的DPAK封装下，它实现了125W的强大功率处理能力，让您的设计在性能和空间上取得完美平衡。

选择STD78N75F4，就是选择了一份来自顶尖半导体技术的承诺。极低的栅极电荷（76nC）和输入电容，意味着更快的开关速度和更低的驱动损耗，直接提升了系统的整体效率。宽广的-55°C至175°C工作结温范围，确保了它在严苛环境下依然稳定可靠。当您需要值得信赖的货源与技术支持时，我们的ST授权代理团队随时待命，为您提供从选型到供应的全程专业服务。虽然该型号已进入停产状态，但其卓越的性能指标和广泛的市场验证，依然是许多经典和高可靠性设计的优先选择，库存与替代方案咨询请联系我们。

• 型号:STD78N75F4
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:DPAK
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 75V 78A DPAK
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:停产
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:75 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):78A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:11 毫欧 @ 35A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:4V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:76 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±20V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:5015 pF @ 25 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:125W（Tc）
• 工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 供应商器件封装:DPAK
• 封装/外壳:TO-252-3，DPAK（2 引线 +耳片），SC-63
• STD78N75F4的订货细节及现货数量，欢迎跟我们的销售代表确认。