STD7LN80K5

当您的电源设计需要在高压环境下保持稳定与高效时，是否曾为寻找一款兼具高耐压与出色动态性能的功率开关而烦恼？现在，答案就在眼前。我们隆重推出意法半导体MDmesh系列中的明星产品STD7LN80K5，这颗N沟道MOSFET以其800V的卓越耐压能力和高达5A的连续漏极电流，为您的高压应用注入强大而可靠的动力核心。它不仅仅是一个开关，更是您提升系统能效、简化设计复杂性的关键伙伴。

想象一下，在开关电源、电机驱动、工业照明或功率因数校正等关键应用中，STD7LN80K5能够轻松应对严苛的电压应力。其MDmesh技术带来了革命性的低导通电阻表现，在10V驱动下仅1.15欧姆，这意味着更低的传导损耗和更少的热量产生，直接转化为更高的系统效率和更长的产品寿命。无论是面对频繁的开关动作，还是持续的高负载运行，它都能保持冷静与稳定，让您的产品在竞争中脱颖而出。

选择STD7LN80K5，就是选择了一份来自顶尖半导体技术的保障。它极低的栅极电荷（仅12nC）和输入电容，显著降低了驱动损耗，让您的开关速度更快，整体效率再上一个台阶。高达85W的功率耗散能力和宽广的-55°C至150°C工作结温范围，确保了它在各种恶劣环境下都能坚韧不拔。其表面贴装的DPAK封装，也为您的PCB布局提供了极大的便利和灵活性。为了确保您能便捷地获得这款优质芯片及其完善的技术支持，我们推荐您通过官方授权的ST代理渠道进行采购，从源头保障产品的正宗与供应的稳定。立即采用STD7LN80K5，让它成为您下一个成功设计的强大引擎！

• 型号:STD7LN80K5
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:DPAK
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 800V 5A DPAK
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:在售
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:800 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):5A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:1.15 欧姆 @ 2.5A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:5V @ 100A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:12 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±30V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:270 pF @ 100 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:85W（Tc）
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 供应商器件封装:DPAK
• 封装/外壳:TO-252-3，DPAK（2 引线 +耳片），SC-63
• STD7LN80K5的订货细节及现货数量，欢迎跟我们的销售代表确认。