STD7N52DK3

在追求更高能效与可靠性的电源设计中，工程师们是否常常面临这样的挑战：如何在紧凑的空间内实现高效的能量转换，同时确保系统在严苛环境下稳定运行？答案或许就藏在这颗性能卓越的功率器件之中。今天，我们向您隆重介绍STD7N52DK3，来自ST意法半导体的SuperFREDmesh3系列N沟道MOSFET，它不仅仅是一个开关，更是您提升产品竞争力的关键引擎。

想象一下，在您的开关电源、电机驱动或照明镇流器方案中，这颗芯片能带来怎样的改变。其高达525V的漏源电压和6A的连续漏极电流，为高压侧应用提供了坚实的保障。更令人印象深刻的是，它采用了先进的SuperFREDmesh3技术，在10V驱动电压下，导通电阻低至1.15欧姆，这意味着更低的导通损耗和更高的整体效率。无论是面对工业自动化设备的频繁启停，还是家用电器对静音与节能的严苛要求，STD7N52DK3都能游刃有余，将电能损耗降至最低，让热量管理变得前所未有的轻松。

选择STD7N52DK3，就是选择了一份经得起考验的可靠性。其坚固的DPAK封装能够有效散热，支持高达90W的功率耗散，结合150°C的最高结温，确保了即使在高温高负载的恶劣工况下，性能依然稳定如一。栅极电荷（Qg）低至33nC，开关速度快，能显著减少开关损耗，特别适合高频开关应用，让您的电源设计在效率与速度上双双领先。我们信赖的合作伙伴，专业的ST代理，能为您提供全面的技术支持和稳定的供货渠道，让您的创新之路无后顾之忧。当您需要一款能在高压、高效与高可靠性之间取得完美平衡的解决方案时，STD7N52DK3无疑是那个能让您的设计脱颖而出的明智之选。

• 型号:STD7N52DK3
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:DPAK
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 525V 6A DPAK
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:停产
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:525 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):6A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:1.15 欧姆 @ 3A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:4.5V @ 50A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:33 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±30V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:870 pF @ 50 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:90W（Tc）
• 工作温度:150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 供应商器件封装:DPAK
• 封装/外壳:TO-252-3，DPAK（2 引线 +耳片），SC-63
• STD7N52DK3的订货细节及现货数量，欢迎跟我们的销售代表确认。