STD7N90K5

在追求更高能效与更紧凑设计的电源方案时，工程师们是否常常面临高压、高功率密度与可靠性的三重挑战？今天，我们为您带来一个突破性的解决方案STD7N90K5。这款来自ST意法半导体MDmesh K5系列的高压MOSFET，以其卓越的900V耐压和7A连续电流能力，正在重新定义中高功率应用的性能边界。它不仅是一颗晶体管，更是您提升产品竞争力、实现设计飞跃的关键引擎。

想象一下，在服务器电源、工业电机驱动、太阳能逆变器或高功率LED照明这些严苛的应用场景中，系统需要稳定处理数百伏的电压，同时还要保证高效的能量转换与长久的使用寿命。STD7N90K5正是为此而生。其先进的MDmesh K5技术，在相同的芯片面积下，实现了更低的导通电阻和更优的开关特性，这意味着更少的能量以热量的形式被浪费，系统的整体效率得以显著提升。在-55°C至150°C的宽广工作温度范围内，它都能保持稳定输出，确保您的设备即使在极端环境下也能可靠运行。

选择STD7N90K5，就是选择了一份从容与信心。其DPAK表面贴装封装，非常适合自动化生产，能帮助您优化PCB布局，实现更紧凑、更轻薄的终端产品设计。高达110W的功率耗散能力，让它在处理高功率任务时游刃有余，有效降低了系统的热管理压力。当您需要可靠的技术支持和稳定的供货渠道时，我们的ST中国代理团队将为您提供从选型到量产的全方位服务。这颗芯片的价值，不仅在于其900V/7A的强悍参数，更在于它能为您的产品注入的高可靠性、高能效基因，助您在激烈的市场竞争中脱颖而出，赢得未来。

• 型号:STD7N90K5
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:DPAK
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 900V 7A DPAK
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:在售
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:900 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):7A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:-
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:5V @ 100A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:-
• Vgs（最大值）:±30V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:-
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:110W（Tc）
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 供应商器件封装:DPAK
• 封装/外壳:TO-252-3，DPAK（2 引线 +耳片），SC-63
• STD7N90K5的订货细节及现货数量，欢迎跟我们的销售代表确认。