STD7NM50N

当您的电源设计面临效率瓶颈和散热挑战时，是否曾渴望一颗既能承受高压冲击，又能保持冷静高效的心脏？今天，我们为您带来一个经过市场验证的卓越解决方案STD7NM50N。这颗源自ST意法半导体MDmesh II家族的N沟道功率MOSFET，以其500V的坚固耐压和5A的连续电流能力，早已成为众多工程师在高压开关应用中的信心之选。即便处于停产状态，其卓越的性能与可靠性，依然通过稳定的库存和专业的ST中国代理渠道，持续为您的创新项目注入活力。

想象一下，在您的开关电源（SMPS）、功率因数校正（PFC）电路或是照明镇流器中，STD7NM50N正在如何大显身手。它就像一位沉默而强大的守护者，在频繁的高压开关动作中，凭借其低至780毫欧的导通电阻，将导通损耗降至最低，直接转化为更高的系统效率和更低的温升。其优化的栅极电荷（Qg）特性，意味着驱动它更加轻松，能够有效降低开关损耗，让整个电源系统运行得更快、更冷、更安静。无论是工业电机驱动、UPS不同断电源，还是各类适配器，它都能提供稳定可靠的能量切换核心。

选择STD7NM50N，不仅仅是选择了一个元器件，更是选择了一套经过时间淬炼的价值体系。它继承了ST MDmesh II技术的精髓，通过独特的网格状结构实现了导通电阻与开关性能的完美平衡。表面贴装的DPAK封装，不仅节省了宝贵的电路板空间，其高达45W的功率耗散能力（Tc）和宽广的-55°C至150°C工作结温范围，确保了它在严苛环境下依然表现出色。对于许多成熟且追求长期稳定性的产品设计而言，这颗芯片代表的成熟度、可靠性和优异的性价比，是帮助您的产品在市场中建立持久竞争力的关键。让它成为您下一个升级版或经典延续项目中的动力基石，见证效率与可靠性的双重飞跃。

• 型号:STD7NM50N
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:DPAK
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 500V 5A DPAK
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:停产
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:500 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):5A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:780 毫欧 @ 2.5A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:4V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:12 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±25V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:400 pF @ 50 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:45W（Tc）
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 供应商器件封装:DPAK
• 封装/外壳:TO-252-3，DPAK（2 引线 +耳片），SC-63
• STD7NM50N的订货细节及现货数量，欢迎跟我们的销售代表确认。