STD7NM64N

想象一下，当您的电源设计需要在紧凑空间内处理高达640V的电压，同时还要保持出色的效率和可靠性，您会选择什么样的解决方案？这正是STD7NM64N大显身手的舞台。作为ST意法半导体MDmesh II系列中的明星产品，这颗N沟道MOSFET不仅仅是一个简单的开关，它是您构建高效、坚固电力系统的基石。其640V的漏源电压和5A的连续漏极电流能力，意味着它能在严苛的工业环境中游刃有余，将高压挑战转化为稳定运行的保障。

无论是服务器电源、工业电机驱动，还是不断增长的LED照明和消费类电子适配器市场，STD7NM64N都能完美融入。它的核心价值在于MDmesh II技术带来的革命性低导通电阻在10V驱动电压下，仅1.05欧姆的Rds(on)值，直接转化为更低的传导损耗和更少的热量产生。这意味着您的终端产品不仅能效更高、运行更凉爽，还能在长期使用中展现出无与伦比的可靠性。当您需要一款能在150°C结温下稳定工作，且栅极电荷（Qg）低至14nC的器件来优化开关频率和驱动电路设计时，它无疑是您的理想选择。

选择STD7NM64N，就是选择了一份来自全球半导体巨头的品质承诺。ST意法半导体的制造工艺确保了每一颗芯片都具备卓越的一致性。其DPAK表面贴装封装，既满足了现代电子装配对空间的要求，又保证了高达60W的出色散热能力。这颗芯片的设计初衷，就是让工程师能够轻松实现高性能与高性价比的平衡，缩短开发周期，加速产品上市。如果您正在寻找值得信赖的供应链伙伴，我们的ST代理团队将为您提供从选型到量产的全方位技术支持。让STD7NM64N成为您下一个成功产品的强大心脏，开启能效与可靠性的新篇章。

• 型号:STD7NM64N
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:DPAK
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 640V 5A DPAK
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:停产
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:640 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):5A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:1.05 欧姆 @ 2.5A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:4V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:14 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±25V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:363 pF @ 50 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:60W（Tc）
• 工作温度:150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 供应商器件封装:DPAK
• 封装/外壳:TO-252-3，DPAK（2 引线 +耳片），SC-63
• STD7NM64N的订货细节及现货数量，欢迎跟我们的销售代表确认。