STD7NM80-1

当您的电源设计需要在高压环境下保持稳定高效，同时还要控制成本和空间时，您是否在寻找一个可靠的解决方案？现在，答案就在眼前。我们隆重推出STD7NM80-1，这颗源自ST意法半导体MDmesh家族的N沟道MOSFET，正是为应对严苛挑战而生的高性能器件。它不仅仅是一个开关，更是您提升系统能效、增强可靠性的得力助手。凭借其800V的卓越耐压能力和6.5A的连续漏极电流，它能在各种复杂工况下稳定运行，将高压带来的风险转化为设计的从容与自信。

想象一下，在开关电源、电机驱动、照明镇流器或工业电源转换等关键应用中，效率和可靠性是生命线。STD7NM80-1正是为此而生。其MDmesh技术带来了革命性的低导通电阻，在10V驱动下仅1.05欧姆，这意味着更低的传导损耗和更少的热量产生。无论是处理PFC（功率因数校正）电路中的高频开关，还是在离线式转换器中担任主开关，它都能让您的系统运行得更凉爽、更持久。其高达90W的功率耗散能力，配合-55°C至150°C的宽广工作结温范围，确保即使在恶劣环境下也能坚如磐石。

选择STD7NM80-1，就是选择了一份来自世界级半导体制造商的技术背书与品质承诺。虽然该型号已进入停产状态，但其成熟的设计、经过市场长期验证的可靠性，使其成为许多经典或特定延续性项目的理想选择。通过我们专业的ST代理渠道，您依然可以获取这颗性能卓越的芯片，并获得全面的技术支持与供应链保障。它采用坚固的I-PAK通孔封装，便于焊接和散热管理，让您的集成工作轻松高效。让STD7NM80-1成为您下一个成功设计的核心动力，释放高压应用的无限潜能！

• 型号:STD7NM80-1
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:TO-251（IPAK）
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 800V 6.5A IPAK
• 包装:管件
• 产品状态:停产
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:800 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):6.5A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:1.05 欧姆 @ 3.25A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:5V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:18 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±30V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:620 pF @ 25 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:90W（Tc）
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:通孔
• 供应商器件封装:TO-251（IPAK）
• 封装/外壳:TO-251-3 短引线，IPAK，TO-251AA
• STD7NM80-1的订货细节及现货数量，欢迎跟我们的销售代表确认。