STD7NM80

在追求更高能效与可靠性的电力转换设计中，您是否曾为高压开关器件的性能瓶颈而困扰？当面对800V高压应用时，传统的MOSFET往往在导通损耗、开关速度和热管理之间难以平衡，导致系统效率打折，设计复杂度攀升。现在，这一切有了更优解来自ST意法半导体的STD7NM80，一款专为苛刻高压环境而生的N沟道功率MOSFET，正以其卓越的性能重新定义高效与可靠的标准。

想象一下，在您的开关电源（SMPS）、功率因数校正（PFC）电路或工业电机驱动中，一颗芯片需要稳定承载800V的电压和6.5A的连续电流，同时还要在频繁开关中保持极低的能量损耗。STD7NM80正是为此而生。它采用了ST引以为傲的MDmesh技术，这项创新结构显著降低了导通电阻（Rds(on)），在10V驱动电压下，其最大值仅为1.05欧姆。这意味着更少的导通损耗，更多的电能被有效传递，直接转化为更高的系统效率和更低的温升。无论是家用电器中的离线式电源，还是工业自动化设备中的电机控制，亦或是照明领域的LED驱动，它都能游刃有余，确保系统在-55°C至150°C的宽广温度范围内稳定运行。

选择STD7NM80，就是选择了一份从容与信心。其极低的栅极电荷（Qg最大值18nC）和输入电容（Ciss），意味着它能够被快速驱动，显著降低开关损耗，让您的设计在高频应用中也能保持高效。表面贴装DPAK封装不仅节省了宝贵的电路板空间，更优化了散热路径，结合高达90W的功率耗散能力，让热管理变得前所未有的轻松。这不仅仅是更换一个元件，更是为您的整个系统注入了强劲、高效且持久的心脏。我们作为值得信赖的ST授权代理，确保您能获得原装正品与全面的技术支持，让您的创新之旅从一颗可靠的芯片开始，直达成功彼岸。

• 型号:STD7NM80
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:DPAK
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 800V 6.5A DPAK
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:在售
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:800 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):6.5A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:1.05 欧姆 @ 3.25A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:5V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:18 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±30V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:620 pF @ 25 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:90W（Tc）
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 供应商器件封装:DPAK
• 封装/外壳:TO-252-3，DPAK（2 引线 +耳片），SC-63
• STD7NM80的订货细节及现货数量，欢迎跟我们的销售代表确认。