STD85N10F7AG

在追求极致能效的电力电子设计中，您是否曾为功率器件的导通损耗和散热问题而困扰？当电流高达数十安培时，每一个毫欧的电阻都意味着可观的能量浪费和额外的热管理成本。现在，让我们向您介绍一款能够显著改变这一局面的高性能解决方案STD85N10F7AG。这款来自ST意法半导体的N沟道功率MOSFET，以其仅为10毫欧的超低导通电阻（RDS(on)），在40A电流下就能将导通损耗降至极低水平，直接为您带来更高的系统效率和更简洁的散热设计。

无论是新能源汽车的OBC（车载充电机）、DC-DC转换器，还是工业自动化中的电机驱动、伺服控制器，甚至是不断进化的通信电源和储能系统，STD85N10F7AG都能游刃有余。它100V的漏源电压和70A的连续漏极电流能力，为48V系统及以下的各种功率开关应用提供了坚实的保障。其符合AEC-Q101标准的汽车级品质，意味着它能够承受严苛的环境振动和温度冲击，从-55°C到175°C的广阔工作结温范围，确保了系统在极端条件下的可靠性与长寿命，让您的产品竞争力从核心部件开始就领先一步。

选择STD85N10F7AG，就是选择了一份经过市场验证的卓越与稳定。它采用了ST先进的STripFET技术，不仅在导通电阻和栅极电荷（Qg）之间取得了优异平衡，降低了开关损耗，其DPAK封装也兼顾了功率处理能力和PCB空间利用率。这意味着您可以在提升功率密度的同时，简化生产流程。当您需要可靠、高性能的ST功率器件时，与一家专业的ST芯片代理合作，将是获得正品货源、技术支持与稳定供应的明智之选。让STD85N10F7AG成为您下一代高效、紧凑、可靠电源与驱动设计的强大心脏，释放系统的全部潜能。

• 型号:STD85N10F7AG
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:DPAK
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 100V 70A DPAK
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:在售
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:100 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):70A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:10 毫欧 @ 40A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:4.5V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:45 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±20V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:3100 pF @ 50 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:85W（Tc）
• 工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ）
• 等级:汽车级
• 资质:AEC-Q101
• 安装类型:表面贴装型
• 供应商器件封装:DPAK
• 封装/外壳:TO-252-3，DPAK（2 引线 +耳片），SC-63
• STD85N10F7AG的订货细节及现货数量，欢迎跟我们的销售代表确认。