STD95N3LLH6

在追求极致效率的电源管理和电机驱动设计中，您是否曾为寻找一款能在高电流下保持低损耗、同时具备出色热性能的功率开关而困扰？今天，我们为您带来一个经过市场验证的卓越解决方案STD95N3LLH6。这款来自ST意法半导体的N沟道MOSFET，以其30V的漏源电压和高达80A的连续漏极电流能力，重新定义了中低压、大电流应用的性能标杆。它不仅仅是一个电子元件，更是您提升产品竞争力、实现能效飞跃的关键引擎。

想象一下，在您的DC-DC转换器中，STD95N3LLH6凭借其DeepGATE与STripFET VI技术，将导通电阻（Rds(on)）在10V驱动下压降至仅4.2毫欧。这意味着在40A的电流通过时，其产生的导通损耗微乎其微，电能得以高效传输，而非转化为无谓的热量。这种低损耗特性直接转化为更长的设备运行时间、更小的散热器需求以及更安静的系统运行环境。无论是服务器电源、工业电池管理系统，还是电动工具和汽车辅助驱动，它都能游刃有余，确保核心动力模块稳定、冷静且强劲。

选择STD95N3LLH6，就是选择了一份可靠与高效的保障。其极低的栅极电荷（Qg）和输入电容（Ciss）意味着开关速度更快，开关损耗更低，让您的系统频率可以设计得更高，从而使用更小的无源元件，进一步优化整体方案的体积与成本。高达175°C的结温（TJ）和70W的功率耗散能力，赋予了它卓越的过载和高温工作鲁棒性。尽管该型号已处于停产状态，但其卓越的性能和广泛的应用验证使其成为特定高要求项目或库存备货的经典之选。为确保您获得正品货源与专业的技术支持，我们强烈建议您通过正规的ST授权代理进行采购，为您的创新保驾护航。

• 型号:STD95N3LLH6
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:DPAK
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 30V 80A DPAK
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:停产
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:30 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):80A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:4.5V，10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:4.2 毫欧 @ 40A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:2.5V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:20 nC @ 4.5 V
• Vgs（最大值）:±20V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:2200 pF @ 25 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:70W（Tc）
• 工作温度:175°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 供应商器件封装:DPAK
• 封装/外壳:TO-252-3，DPAK（2 引线 +耳片），SC-63
• STD95N3LLH6的订货细节及现货数量，欢迎跟我们的销售代表确认。