STD9HN65M2

在追求更高能效与更紧凑设计的今天，您的电源方案是否还在为开关损耗和散热问题所困扰？想象一下，一颗集高耐压、低损耗与卓越热性能于一身的功率MOSFET，将如何彻底改变您的产品表现。现在，答案就在STD9HN65M2之中。

源自意法半导体备受赞誉的MDmesh M2技术平台，这颗N沟道MOSFET天生就是为了高效而生。650V的漏源电压（Vdss）为您构筑了坚固的耐压防线，轻松应对工业级电源、照明驱动以及各类离线式开关电源中的高压环境。而其核心魅力在于极低的导通电阻在10V驱动电压下，仅820毫欧的最大值，意味着更低的传导损耗，能将更多电能高效转化为输出，而非无谓的热量。配合仅11.5nC的低栅极电荷（Qg），它能实现更快的开关速度，显著降低开关损耗，让您的系统整体效率跃升新台阶。

无论是服务器电源追求极致“80 PLUS”钛金认证，还是LED驱动电源需要稳定可靠的长寿命，或是家用电器待机功耗的严苛要求，STD9HN65M2都能游刃有余。其DPAK封装兼顾了功率处理能力与PCB空间节省，表面贴装工艺适配现代化高密度生产线。高达150°C的结温（TJ）和60W的功率耗散能力，赋予了它强大的过载与热冗余，确保系统在复杂工况下依然稳定运行。选择它，就是为您的产品注入了高可靠性与高能效的基因。

当您需要这样一颗性能与品质兼备的功率器件时，通过正规的ST授权代理进行采购，是保障产品正宗、供应稳定、并获得专业技术支持的关键一步。这不仅是一颗MOSFET的选择，更是对产品长期竞争力和品牌声誉的负责。让STD9HN65M2成为您下一代高效电源设计的强大心脏，开启能效与可靠性的全新篇章。

• 型号:STD9HN65M2
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:DPAK
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 650V 5.5A DPAK
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:停产
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:650 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):5.5A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:820 毫欧 @ 2.5A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:4V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:11.5 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±25V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:325 pF @ 100 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:60W（Tc）
• 工作温度:150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 供应商器件封装:DPAK
• 封装/外壳:TO-252-3，DPAK（2 引线 +耳片），SC-63
• STD9HN65M2的订货细节及现货数量，欢迎跟我们的销售代表确认。