STD9N40M2

在追求更高能效与更紧凑设计的电源方案中，工程师们是否常常面临开关损耗与散热设计的双重挑战？现在，STD9N40M2的到来，为您带来了一个堪称完美的平衡点。这款基于意法半导体先进MDmesh II Plus技术打造的N沟道功率MOSFET，不仅拥有400V的卓越耐压能力和6A的连续漏极电流，更将导通电阻（Rds(on)）在10V驱动下优化至仅800毫欧。这意味着，在您的开关电源、电机驱动或照明系统中，它能显著降低传导损耗，将更多电能转化为有效输出，而非令人头疼的热量。

想象一下，在您的下一款高效充电器或工业电源设计中，这颗芯片能够轻松应对频繁的开关动作。得益于其极低的栅极电荷（Qg）和输入电容（Ciss），STD9N40M2可以实现更快的开关速度，从而大幅降低开关损耗，提升整体系统频率和功率密度。无论是服务器电源追求极致效率，还是LED驱动需要稳定可靠，亦或是电机控制要求快速响应，它都能游刃有余，成为提升产品竞争力的核心动力。选择它，就是选择为您的应用注入一颗高效而强健的“心脏”。

那么，在众多同类产品中，为何STD9N40M2值得您优先考虑？答案在于其带来的综合价值远超单一参数。它不仅在电气性能上表现出色，其DPAK封装也兼顾了优异的散热能力和便于自动化生产的表面贴装工艺。高达60W的功率耗散能力与宽广的-55°C至150°C工作结温范围，确保了它在严苛环境下依然稳定可靠，大大延长了终端产品的使用寿命。当您需要可靠的技术支持和稳定的供货渠道时，我们的ST中国代理团队将为您提供从选型到量产的全方位服务。选择STD9N40M2，不仅是选择了一颗高性能芯片，更是选择了一个能助力您项目成功、加速产品上市的可靠伙伴。

• 型号:STD9N40M2
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:DPAK
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 400V 6A DPAK
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:在售
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:400 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):6A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:800 毫欧 @ 3A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:4V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:8.8 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±25V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:270 pF @ 100 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:60W（Tc）
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 供应商器件封装:DPAK
• 封装/外壳:TO-252-3，DPAK（2 引线 +耳片），SC-63
• STD9N40M2的订货细节及现货数量，欢迎跟我们的销售代表确认。