STD9N80K5

在追求更高能效与更紧凑设计的电源方案中，工程师们是否常常面临高压、高功率密度与系统可靠性难以兼得的挑战？现在，答案来了。我们隆重推出意法半导体MDmesh K5系列中的明星产品STD9N80K5。这款800V、7A的N沟道功率MOSFET，正是为突破传统性能瓶颈而生，它将卓越的开关性能与出色的耐用性融为一体，为您带来前所未有的设计自由度和系统价值提升。

想象一下，在您的服务器电源、工业电机驱动、LED照明驱动或高性能充电器中，STD9N80K5能够轻松应对严苛的高压环境。其高达800V的漏源电压（Vdss）提供了宽裕的安全裕度，确保系统在电压波动中稳如磐石。而MDmesh K5超结技术的加持，意味着它在导通电阻（Rds(on)）和栅极电荷（Qg）之间取得了绝佳平衡。这不仅直接转化为更低的导通损耗和开关损耗，提升整体能效，更能让您的散热设计更为简化，帮助您打造出更小巧、更安静、运行更凉爽的终端产品。

选择STD9N80K5，就是选择了一份面向未来的投资。它不仅仅是一个元器件，更是您提升产品市场竞争力的关键伙伴。其表面贴装DPAK封装，非常适合自动化生产，能有效降低组装成本并提高生产一致性。宽广的工作温度范围（-55°C ~ 150°C）确保了它在从寒冷户外到炎热机箱内的各种极端环境中都能可靠工作。当您需要可靠的原厂货源与专业的技术支持时，我们的官方ST代理团队随时待命，为您从选型到量产的全流程保驾护航。立即采用STD9N80K5，释放您设计的全部潜能，打造出令市场瞩目的高效、可靠电源解决方案。

• 型号:STD9N80K5
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:DPAK
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CHANNEL 800V 7A DPAK
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:在售
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:800 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):7A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:900 毫欧 @ 3.5A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:5V @ 100A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:12 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±30V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:340 pF @ 100 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:110W（Tc）
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 供应商器件封装:DPAK
• 封装/外壳:TO-252-3，DPAK（2 引线 +耳片），SC-63
• STD9N80K5的订货细节及现货数量，欢迎跟我们的销售代表确认。