STD9NM50N

在追求更高能效与可靠性的电源设计中，您是否曾为开关损耗和电磁干扰问题而困扰？今天，让我们为您介绍一款能够彻底改变这一局面的高性能功率器件STD9NM50N。它不仅仅是一个MOSFET，更是意法半导体MDmesh II技术家族的杰出代表，专为应对严苛的高压、高频应用挑战而生。其卓越的500V耐压能力和5A的连续电流承载实力，意味着它能在更广泛的电压波动中稳如磐石，为您的系统构筑起第一道坚固防线。

想象一下，在开关电源、电机驱动、照明镇流器或工业电源转换器中，每一次开关动作都关乎整体效率与稳定性。STD9NM50N凭借其超低的导通电阻（典型值远低于790毫欧）和优化的栅极电荷（仅14nC），能够显著降低导通损耗和开关损耗。这意味着更少的能量以热量的形式浪费，更高的系统效率得以实现，同时开关速度的提升也让电磁干扰（EMI）更易于管理。其表面贴装的DPAK封装，不仅节省了宝贵的PCB空间，更提供了出色的散热性能，确保器件在高达150°C的结温下依然稳定工作，延长产品寿命。

选择STD9NM50N，就是选择了一份来自全球半导体领袖的可靠承诺。意法半导体的MDmesh II技术经过市场长期验证，在开关性能与耐用性之间取得了完美平衡。这颗芯片能帮助您轻松应对能效法规的升级，缩短产品研发周期，并最终打造出在市场上更具竞争力的高可靠性电源解决方案。如果您正在寻找稳定可靠的供货渠道与技术支持，我们的合作伙伴专业的ST中国代理团队，将随时为您提供从选型到量产的全方位服务。现在就拥抱这款高效能芯片，为您的下一个设计注入强劲动力与卓越可靠性吧！

• 型号:STD9NM50N
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:DPAK
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 500V 5A DPAK
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:在售
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:500 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):5A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:790 毫欧 @ 2.5A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:4V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:14 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±25V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:570 pF @ 50 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:45W（Tc）
• 工作温度:150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 供应商器件封装:DPAK
• 封装/外壳:TO-252-3，DPAK（2 引线 +耳片），SC-63
• STD9NM50N的订货细节及现货数量，欢迎跟我们的销售代表确认。