STDLED623

当您需要一款能够在高压环境下稳定驱动负载、同时保持出色能效表现的功率开关时，您会如何选择？答案或许就隐藏在STDLED623这颗卓越的N沟道MOSFET之中。它不仅仅是一个电子元件，更是您提升产品性能、优化系统设计的得力助手。凭借620V的漏源电压和3A的连续漏极电流能力，它为您的高压应用提供了坚实的保障，让您在面对复杂工况时也能从容不迫，信心倍增。

想象一下，在LED照明驱动、AC-DC电源转换器或是各类离线式开关电源中，一颗稳定可靠的功率开关有多么重要。STDLED623正是为此而生。其出色的10V驱动电压和低至3.6欧姆的导通电阻，意味着它在开启时损耗极低，能显著提升整体系统的能源转换效率，将更多电能精准地输送到负载端，而非浪费在发热上。这对于追求绿色节能和长寿命设计的现代电子产品而言，价值非凡。无论是工业控制设备中的辅助电源，还是消费类电子产品的适配器，它都能轻松胜任，成为电路中的“能量守门员”。

选择STDLED623，就是选择了一份来自意法半导体的品质承诺。其高达45W的功率耗散能力和150°C的结温工作范围，确保了它在严苛环境下的长期可靠性。表面贴装的DPAK封装，不仅节省了宝贵的PCB空间，更便于自动化生产，有效降低您的制造成本。当您需要可靠的技术支持和供货保障时，可以随时联系我们的ST代理团队。这颗芯片集高性能、高可靠性与高性价比于一身，它不仅仅是完成一个开关动作，更是为您的产品注入持久、稳定、高效的核心动力，助您在市场竞争中赢得先机。

• 制造商产品型号：STDLED623
• 制造商：ST意法半导体（STMicroelectronics）
• 描述：MOSFET N-CH 620V 3A DPAK
• 系列：晶体管 - FET，MOSFET - 单个
• 产品系列：-
• 零件状态：有源
• FET类型：N 通道
• 技术：MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）：620V
• 25°C时电流-连续漏极(Id)：3A（Tc）
• 驱动电压（最大RdsOn，最小RdsOn）：10V
• 不同Id、Vgs时导通电阻（最大值）：3.6 欧姆 @ 1.1A，10V
• 不同Id时Vgs(th)（最大值）：4.5V @ 50A
• 不同Vgs时栅极电荷(Qg)（最大值）：15.5nC @ 10V
• Vgs（最大值）：±30V
• 不同Vds时输入电容(Ciss)（最大值）：350pF @ 50V
• FET功能：-
• 功率耗散（最大值）：45W（Tc）
• 工作温度：150°C（TJ）
• 安装类型：表面贴装型
• 器件封装：DPAK
• STDLED623的订货细节及现货数量，欢迎跟我们的销售代表确认。