STE140NF20D

在追求极致能效的电力转换系统中，您是否还在为开关损耗和散热问题而烦恼？当200V高压应用需要承载140A大电流时，传统的MOSFET往往力不从心，导致系统效率低下、温升过高。现在，这一切都将被重新定义。我们隆重推出意法半导体的高性能功率器件STE140NF20D，它不仅仅是一颗MOSFET，更是您提升系统竞争力的关键引擎。

这颗采用先进STripFET II技术的N沟道MOSFET，在10V驱动电压下，导通电阻低至惊人的12毫欧。这意味着在相同的电流下，它的导通损耗将大幅降低，更多的电能被高效转换而非浪费为热量。高达500W的功率耗散能力，配合其独特的ISOTOP封装，确保了卓越的散热性能，让您的设备即使在-55°C到150°C的严苛温度范围内也能稳定运行，可靠性无懈可击。想象一下，在工业电机驱动、大功率开关电源或不断电系统(UPS)的核心电路中，STE140NF20D如同一位不知疲倦的超级跑者，以极低的“内阻”高速切换，将能量损耗降至最低，直接转化为更长的运行时间、更小的散热器体积和更低的系统总成本。

选择STE140NF20D，就是选择了一份经过市场验证的卓越与安心。它源自全球半导体领袖意法半导体，其STripFET II系列早已成为高效能功率设计的代名词。虽然该型号已进入停产状态，但其成熟的设计和卓越的性能指标，使其在诸多存量升级或特定高可靠性设计中依然是无可替代的优选。为了确保您能获得正品货源与专业的技术支持，我们强烈建议您通过官方授权的ST代理商进行采购。这不仅保障了元器件的真实性与品质，更能为您后续的设计与生产提供坚实的后盾。让STE140NF20D的强大动力，注入您的下一个创新产品，共同开启高效、可靠的电能新时代。

• 型号:STE140NF20D
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:ISOTOP
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 200V 140A ISOTOP
• 包装:管件
• 产品状态:停产
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:200 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):140A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:12 毫欧 @ 70A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:4V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:338 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±20V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:11100 pF @ 25 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:500W（Tc）
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:底座安装
• 供应商器件封装:ISOTOP
• 封装/外壳:ISOTOP
• STE140NF20D的订货细节及现货数量，欢迎跟我们的销售代表确认。