STE180NE10

当您的电源系统需要处理高达180A的连续电流，同时还要在严苛的工业环境中保持稳定，您是否在寻找一颗既能扛起重任又能保持高效的心脏？答案就在STE180NE10。这颗来自ST意法半导体的功率MOSFET，以其卓越的STripFET技术，将大电流处理能力与超低导通电阻完美结合，为您的高功率应用注入澎湃而可靠的动力源泉。

想象一下，在伺服驱动、工业电源转换或大功率UPS系统中，每一次开关动作都关乎整个系统的效率与安全。STE180NE10正是为此而生。其100V的漏源电压和高达360W的功率耗散能力，让它能在高电压、大电流的复杂工况下从容不迫。其独特的ISOTOP封装不仅提供了卓越的散热性能，确保在-55°C至150°C的宽广工作温度范围内稳定运行，更通过底座安装方式，让热管理变得前所未有的高效与直接，有效延长设备寿命，减少系统维护的烦恼。

为什么众多工程师在面临关键设计时，会毫不犹豫地选择它？因为价值不仅体现在参数上，更体现在整个系统的表现中。相比普通MOSFET，STE180NE10在10V驱动电压下，导通电阻最大值仅为6毫欧（@40A），这意味着更低的导通损耗和更高的整体能效。更低的栅极电荷（Qg）也带来了更快的开关速度和更低的驱动损耗，让您的系统响应更迅捷，运行更“冷静”。选择它，就是选择了一份由顶尖半导体技术背书的高可靠性。如需获取正品保障与专业的技术支持，我们推荐您通过官方授权的ST授权代理进行采购，确保您的项目从源头就赢在起跑线上。

• 型号:STE180NE10
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:ISOTOP
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 100V 180A ISOTOP
• 包装:管件
• 产品状态:停产
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:100 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):180A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:6 欧姆 @ 40A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:4V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:795 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±20V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:21000 pF @ 25 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:360W（Tc）
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:底座安装
• 供应商器件封装:ISOTOP
• 封装/外壳:ISOTOP
• STE180NE10的订货细节及现货数量，欢迎跟我们的销售代表确认。