STE26NA90

当您的工业电源或电机驱动系统需要面对严苛的高压环境时，您是否在为寻找一颗既能扛住900V高压冲击，又能保证高效稳定运行的功率开关而烦恼？今天，我们为您带来的STE26NA90，正是意法半导体（STMicroelectronics）为应对此类挑战而精心打造的一颗高性能N沟道MOSFET。它不仅仅是一个电子元件，更是您系统可靠性与效率的坚实守护者。

这颗采用先进ISOTOP封装的功率器件，其高达900V的漏源电压（Vdss）和26A的连续漏极电流能力，意味着它天生就是为高压大电流应用场景而生的。想象一下，在工业变频器、不间断电源（UPS）、电焊机或是太阳能逆变器中，STE26NA90能够从容应对频繁的开关动作和能量转换，其低至300毫欧的导通电阻（Rds(on)）能显著降低导通损耗，而高达450W的功率耗散能力则确保了其在高温环境下的稳定输出。这直接转化为您的终端产品更低的发热、更高的能效和更长的使用寿命，让您的产品在市场竞争中脱颖而出。

选择STE26NA90，就是选择了一份来自全球半导体巨头的品质承诺。意法半导体的技术底蕴赋予了这颗芯片卓越的稳健性，其优化的栅极电荷（Qg）和输入电容（Ciss）特性，让驱动电路设计更为简单高效，有助于缩短您的开发周期。尽管该型号已处于停产状态，但其成熟的设计和广泛的应用验证，使其成为许多经典或长生命周期项目升级、备货的可靠之选。通过与值得信赖的ST中国代理合作，您不仅能获得正品保障和具有竞争力的价格，更能得到专业的技术支持与供应链服务，确保您的项目从设计到量产一路畅通。

总而言之，STE26NA90以其高压、大电流、低损耗的卓越性能，成为提升高压功率系统核心竞争力的关键一环。它用实实在在的参数和久经考验的可靠性，为您的创新构想提供坚实的物理基础。当您追求极致的效率与无懈可击的稳定时，它就在这里，等待为您的下一个杰作注入强大动力。

• 型号:STE26NA90
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:ISOTOP
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 900V 26A ISOTOP
• 系列:-
• 包装:管件
• 产品状态:停产
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:900 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):26A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:300 毫欧 @ 13A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:3.75V @ 1mA
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:660 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±30V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:1770 pF @ 25 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:450W（Tc）
• 工作温度:150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:底座安装
• 供应商器件封装:ISOTOP
• 封装/外壳:ISOTOP
• STE26NA90的订货细节及现货数量，欢迎跟我们的销售代表确认。