STE48NM50

当您的工业电源或电机驱动系统面临效率瓶颈时，是否曾想过，一颗功率器件的革新能带来多大的改变？今天，我们向您隆重介绍STE48NM50，这颗来自ST意法半导体的高性能N沟道MOSFET，正是为突破极限、重塑效能而生的杰作。它不仅仅是一个电子元件，更是您提升产品竞争力、实现能效跃升的关键引擎。

想象一下，在严苛的工业环境中，无论是伺服驱动、不间断电源（UPS），还是电焊机、太阳能逆变器，系统都需要承受高电压、大电流的持续考验。STE48NM50凭借其高达550V的漏源电压和48A的连续漏极电流能力，为这些核心应用场景提供了坚如磐石的可靠性基础。其采用的先进MDmesh技术，意味着更低的导通损耗和更快的开关速度，这直接转化为更低的系统发热和更高的整体效率。当您的竞争对手还在为温升和损耗头疼时，您已经凭借这颗芯片实现了更紧凑的设计和更长的运行寿命。

选择STE48NM50，就是选择了一份从容与远见。它极低的导通电阻（仅100毫欧）和优化的栅极电荷，让开关过程更加干净利落，显著降低了驱动损耗和电磁干扰（EMI），这为您的产品通过各项严苛的行业认证扫清了障碍。同时，其坚固的ISOTOP封装确保了卓越的散热性能和机械强度，即使在150°C的高结温下也能稳定工作，大大拓宽了您的设计边界。我们作为专业的ST芯片代理，不仅为您提供这颗性能卓越的芯片，更致力于提供完整的技术支持和供应链保障，让您的创新之路畅通无阻。现在就拥抱STE48NM50，让它成为您下一代高性能电源与驱动系统的强大心脏，共同开启高效、可靠的新篇章。

• 型号:STE48NM50
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:ISOTOP
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 550V 48A ISOTOP
• 包装:管件
• 产品状态:在售
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:550 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):48A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:100 毫欧 @ 24A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:5V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:117 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±30V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:3700 pF @ 25 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:450W（Tc）
• 工作温度:150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:底座安装
• 供应商器件封装:ISOTOP
• 封装/外壳:ISOTOP
• STE48NM50的订货细节及现货数量，欢迎跟我们的销售代表确认。