STE48NM60

在追求极致能效与可靠性的电力电子设计中，您是否曾为寻找一颗能在高压、大电流场景下稳定发挥，同时兼顾出色热管理和开关性能的功率开关器件而反复权衡？今天，我们为您带来一个经过市场验证的卓越答案STE48NM60。这颗源自ST意法半导体MDmesh家族的N沟道MOSFET，以其650V的坚固耐压和高达48A的连续电流处理能力，为您的电源系统注入澎湃而可靠的核心动力。它不仅仅是一个组件，更是提升整机效率、缩小体积并增强系统鲁棒性的关键引擎。

想象一下，在工业电机驱动、不间断电源（UPS）、太阳能逆变器或大功率开关电源等严苛的应用环境中，STE48NM60正以其卓越的性能默默耕耘。其ISOTOP封装技术，将卓越的电气性能与出色的散热能力完美结合，确保器件即使在高温高负载下也能稳定工作，结温高达150°C，为您的设计预留了充足的安全边际。这意味着，无论是应对突发的负载冲击，还是在持续高温环境下长期运行，它都能提供令人安心的可靠性，显著降低系统故障风险，延长产品使用寿命。

选择STE48NM60，就是选择了一份经过时间淬炼的成熟与信赖。尽管其零件状态已标注为停产，但这恰恰证明了它是一款在过往众多成功项目中立下汗马功劳的经典器件，其性能与可靠性得到了广泛的市场认可。对于仍在沿用或维护基于此型号设计的系统而言，它无疑是保障供应链稳定和系统一致性的定心丸。当您需要获取这颗经典芯片或寻求技术支持时，可以随时联系专业的ST代理商，他们能为您提供可靠的货源与专业的技术服务。它110毫欧的低导通电阻与优化的栅极电荷特性，共同助力实现更低的导通损耗和开关损耗，让您的电源方案效率更高，温升更低，整体性能表现更加出众。

• 型号:STE48NM60
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:ISOTOP
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 650V 48A ISOTOP
• 包装:管件
• 产品状态:停产
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:650 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):48A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:110 毫欧 @ 22.5A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:5V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:134 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±30V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:3800 pF @ 25 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:450W（Tc）
• 工作温度:150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:底座安装
• 供应商器件封装:ISOTOP
• 封装/外壳:ISOTOP
• STE48NM60的订货细节及现货数量，欢迎跟我们的销售代表确认。