STE53NC50

在追求极致能效与可靠性的电力电子世界，您是否还在为高功率应用中的开关损耗与散热难题而困扰？今天，我们为您带来一个颠覆性的解决方案STE53NC50。这款来自ST意法半导体的N沟道功率MOSFET，以其500V的耐压和高达53A的连续漏极电流能力，正重新定义中高功率密度设计的性能边界。它不仅仅是一个开关器件，更是您系统实现高效、稳定、紧凑化设计的强大引擎。

想象一下，在工业电机驱动、不间断电源（UPS）或太阳能逆变器的核心电路中，每一次开关动作都伴随着能量的转换与损耗。STE53NC50凭借其先进的PowerMESH II技术，将导通电阻（Rds(on)）降至极低的80毫欧，这意味着在27A电流、10V驱动下，导通损耗被大幅削减，更多的电能被有效利用，而非转化为无谓的热量。其高达460W的功率耗散能力和150°C的结温，确保了即使在严苛的工况下也能游刃有余，让您的设备运行更冷静，寿命更长久。

选择STE53NC50，就是选择了一份从容与自信。其ISOTOP封装不仅提供了卓越的电气隔离和散热性能，简化了您的安装与热管理设计，更带来了无与伦比的可靠性。无论是应对复杂的电磁环境，还是满足紧凑空间布局的要求，它都能出色胜任。当您需要稳定可靠的货源与专业的技术支持时，我们的ST中国代理团队始终是您最坚实的后盾，为您从选型到量产提供全程护航。这不仅仅是一颗芯片，更是您提升产品竞争力、赢得市场先机的关键伙伴。

• 型号:STE53NC50
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:ISOTOP
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 500V 53A ISOTOP
• 包装:管件
• 产品状态:在售
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:500 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):53A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:80 毫欧 @ 27A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:4V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:434 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±30V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:11200 pF @ 25 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:460W（Tc）
• 工作温度:150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:底座安装
• 供应商器件封装:ISOTOP
• 封装/外壳:SOT-227-4，miniBLOC
• STE53NC50的订货细节及现货数量，欢迎跟我们的销售代表确认。