STE70NM50

当您的工业电源或电机驱动项目需要在高功率与高效率之间找到完美平衡点时，您是否曾为寻找一颗既能承载重载又能保持低温运行的功率开关而烦恼？今天，我们为您带来一个经过市场验证的卓越解决方案STE70NM50。这颗源自ST意法半导体MDmesh家族的N沟道MOSFET，以其500V的耐压和高达70A的连续电流能力，为您构建坚固可靠的功率系统奠定了基石。它不仅仅是一个组件，更是您提升产品性能、赢得市场竞争力的关键武器。

想象一下，在严苛的工业环境中，无论是伺服驱动器、不间断电源（UPS），还是电焊机和高功率开关电源，系统都需要应对瞬间的高压冲击和持续的电流负荷。STE70NM50正是为此而生。其极低的50毫欧导通电阻（在10V驱动下），意味着在导通状态下能量损耗被大幅削减，更多的电能被高效转化为有用功，而不是令人头疼的热量。这不仅直接提升了整机效率，更让您的散热设计变得更为轻松，系统运行更加安静、稳定。其ISOTOP封装和底座安装方式，确保了出色的热管理能力，即使面对150°C的高结温挑战，也能游刃有余。

选择STE70NM50，就是选择了一份来自顶级半导体制造商的技术底蕴与可靠性承诺。虽然该型号已处于停产状态，但其成熟的设计和卓越的性能指标，使其成为许多经典和现有项目升级、备货的绝佳选择。通过值得信赖的ST授权代理渠道，您依然可以获取到高品质的原装产品，确保供应链的稳定与安全。它代表着一种经久耐用的价值用更低的导通损耗换取更高的能源效率，用强大的功率处理能力保障系统的长效运行。让这颗性能强悍的功率器件，成为您驱动创新、赋能工业未来的核心动力。

• 型号:STE70NM50
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:ISOTOP
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 500V 70A ISOTOP
• 包装:管件
• 产品状态:停产
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:500 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):70A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:50 毫欧 @ 30A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:5V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:266 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±30V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:7500 pF @ 25 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:600W（Tc）
• 工作温度:150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:底座安装
• 供应商器件封装:ISOTOP
• 封装/外壳:ISOTOP
• STE70NM50的订货细节及现货数量，欢迎跟我们的销售代表确认。