STE70NM60

当您的下一个电源设计项目面临效率与可靠性的双重挑战时，是否曾渴望一颗能同时驾驭高功率与低损耗的“心脏”？答案或许就藏在STE70NM60之中。这款来自ST意法半导体的高性能N沟道MOSFET，以其600V的耐压能力和高达70A的连续漏极电流，为您打开了通往更高能效和更紧凑设计的大门。它不仅仅是一个开关器件，更是您提升产品竞争力、降低系统总成本的关键赋能者。

想象一下，在服务器电源、工业电机驱动、不间断电源（UPS）乃至新能源电动汽车的充电模块中，对功率转换的效率和稳定性要求何其严苛。STE70NM60正是为此类高压、大电流应用场景而生。其采用的先进MDmesh技术，通过优化单元结构和工艺，实现了导通电阻（Rds(on)）与栅极电荷（Qg）的卓越平衡。这意味着在频繁开关的过程中，它能显著降低导通损耗和开关损耗，让您的系统运行更凉爽、更持久，直接将电能更高效地转化为最终输出，而不是浪费在发热上。

选择STE70NM60，就是选择了一份来自顶尖半导体制造商的品质承诺。其ISOTOP封装不仅确保了出色的散热性能，支持高达600W的功率耗散，更提供了卓越的机械坚固性和电气隔离性，轻松应对严苛的工业环境。当您与可靠的ST芯片代理合作时，您获得的将不仅仅是这颗性能强悍的芯片，更包括稳定的供货、专业的技术支持以及完整的产品生命周期保障。这能让您将更多精力聚焦于核心创新，而无须担忧供应链的波动或器件可靠性问题。让STE70NM60成为您下一个成功设计的坚实基石，共同开启高效、可靠的能源未来。

• 型号:STE70NM60
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:ISOTOP
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 600V 70A ISOTOP
• 包装:管件
• 产品状态:在售
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:600 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):70A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:55 毫欧 @ 30A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:5V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:266 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±30V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:7300 pF @ 25 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:600W（Tc）
• 工作温度:150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:底座安装
• 供应商器件封装:ISOTOP
• 封装/外壳:ISOTOP
• STE70NM60的订货细节及现货数量，欢迎跟我们的销售代表确认。