STF10N80K5

在追求极致能效与可靠性的功率转换设计中，您是否曾为高压开关器件的损耗和散热问题而困扰？现在，让我们向您介绍一款能够彻底改变游戏规则的解决方案STF10N80K5。这款来自ST意法半导体的N沟道功率MOSFET，凭借其800V的卓越耐压能力和MDmesh K5系列的超低导通电阻，为您带来前所未有的效率提升和系统简化。它不仅仅是一个开关，更是您实现高效、紧凑、可靠电源设计的强大引擎。

想象一下，在您的服务器电源、工业电机驱动或高功率LED照明系统中，STF10N80K5正以其高达9A的连续漏极电流和仅为600毫欧的导通电阻，将每一份电能都高效地传递到负载，最大限度地减少了能量在开关过程中的无谓损耗。其优化的栅极电荷（Qg）和输入电容（Ciss）特性，意味着更快的开关速度和更低的驱动损耗，让您的系统即使在严苛的高频工作条件下也能保持冷静与稳定。这正是选择与专业的ST芯片代理合作的价值所在，他们能为您提供从这颗芯片开始的全方位技术支持和供应链保障。

无论是面对需要高功率密度的电动车充电桩，还是要求长期稳定运行的电信基础设施电源，STF10N80K5都能轻松胜任。其宽广的工作温度范围（-55°C至150°C）和坚固的TO-220FP封装，确保了它在各种恶劣环境下的出色表现和长久的使用寿命。选择它，您选择的不仅是一个高性能的元器件，更是一份对产品最终品质和市场竞争力的坚实承诺。让STF10N80K5成为您下一个成功设计的核心动力，开启高效、可靠电源解决方案的新篇章。

• 型号:STF10N80K5
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:TO-220FP
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 800V 9A TO220FP
• 包装:管件
• 产品状态:在售
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:800 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):9A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:600 毫欧 @ 4.5A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:5V @ 100A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:22 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±30V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:635 pF @ 100 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:30W（Tc）
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:通孔
• 供应商器件封装:TO-220FP
• 封装/外壳:TO-220-3 整包
• STF10N80K5的订货细节及现货数量，欢迎跟我们的销售代表确认。