STF10NM65N

在追求更高能效与可靠性的电力电子设计中，您是否曾为开关损耗和系统稳定性而困扰？当650V的高压应用场景需要兼顾性能与成本时，STF10NM65N的出现，正是为了破解这一难题。它不仅仅是一颗MOSFET，更是意法半导体MDmesh II技术家族的杰出代表，以其卓越的快速开关特性和低导通电阻，为您的电源设计注入强劲动力。想象一下，在反激式开关电源、功率因数校正（PFC）电路或电机驱动应用中，它能显著降低导通损耗，提升整体转换效率，让您的产品在激烈的市场竞争中脱颖而出。

无论是工业级开关电源、UPS不同断电源，还是照明镇流器和适配器，STF10NM65N都能游刃有余。其650V的漏源电压和9A的连续漏极电流，为应对电网波动和复杂负载提供了宽裕的安全余量。TO-220FP封装不仅确保了出色的散热性能，高达150°C的结温工作能力更赋予了它在严苛环境下稳定运行的底气。这意味着，您的设备可以更紧凑、更可靠，同时减少散热设计的复杂度，从而加快产品上市时间并优化整体成本。

选择STF10NM65N，就是选择了一份经过市场验证的卓越性能与稳定性。尽管该型号已进入停产状态，但其成熟的设计和可靠的供货渠道（例如通过值得信赖的ST一级代理）依然使其成为许多经典和延续性项目的理想选择。它代表了在特定技术节点上达到的完美平衡在开关速度、导通损耗和成本之间找到了最佳契合点。对于追求高性价比、高可靠性解决方案的工程师而言，它是一颗能够承载信任、助力产品成功的核心元器件。让它成为您下一个成功设计的坚实基石，共同开启高效节能的新篇章。

• 型号:STF10NM65N
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:TO-220FP
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 650V 9A TO220FP
• 包装:管件
• 产品状态:停产
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:650 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):9A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:480 毫欧 @ 4.5A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:4V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:25 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±25V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:850 pF @ 50 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:25W（Tc）
• 工作温度:150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:通孔
• 供应商器件封装:TO-220FP
• 封装/外壳:TO-220-3 整包
• STF10NM65N的订货细节及现货数量，欢迎跟我们的销售代表确认。