STF10P6F6

在追求极致能效与可靠性的功率电子设计中，您是否曾为寻找一款既能承受高压冲击，又能保持低导通损耗的P沟道MOSFET而反复权衡？现在，答案已经揭晓。我们隆重推出意法半导体的STF10P6F6，这颗集高性能与高可靠性于一身的功率开关器件，正是为满足您严苛应用需求而生的卓越解决方案。

想象一下，在您的电源管理模块、电机驱动电路或负载开关应用中，STF10P6F6能够轻松驾驭高达60V的电压和10A的连续电流。其采用的先进STripFET VI和DeepGATE技术，将导通电阻（Rds(on)）在10V驱动下压低至仅160毫欧，这意味着更低的传导损耗和更少的热量产生。更低的栅极电荷（Qg）和输入电容（Ciss）则确保了极快的开关速度，让您的系统响应迅捷，整体效率显著提升。无论是工业自动化设备中需要频繁启停的电机，还是通信基站里要求稳定可靠的电源备份系统，它都能游刃有余，成为电路中沉默而强大的守护者。

选择STF10P6F6，就是选择了一份经得起时间考验的承诺。TO-220FP封装提供了优异的散热性能和通孔安装的坚固性，结合高达150°C的结温工作能力，确保其在恶劣环境下依然稳定运行。虽然该型号已进入停产状态，但其卓越的性能指标和广泛的市场验证，使其成为特定高可靠性项目或库存备货的明智之选。为了确保您能获得正品保障与专业的技术支持，我们强烈建议您通过官方授权的ST代理渠道进行咨询与采购。让STF10P6F6的强大动力，注入您的下一个创新设计，共同开启高效、可靠的新篇章。

• 型号:STF10P6F6
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:TO-220FP
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET P-CH 60V 10A TO220FP
• 包装:管件
• 产品状态:停产
• FET 类型:P 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:60 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):10A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:160 毫欧 @ 5A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:4V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:6.4 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±20V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:340 pF @ 48 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:20W（Tc）
• 工作温度:150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:通孔
• 供应商器件封装:TO-220FP
• 封装/外壳:TO-220-3 整包
• STF10P6F6的订货细节及现货数量，欢迎跟我们的销售代表确认。