STF110N10F7

在追求极致能效的电力转换与电机控制领域，您是否还在为功率损耗和散热问题而烦恼？想象一下，一款能在高功率应用中显著降低导通损耗，同时保持出色开关性能的功率MOSFET，将如何彻底改变您的设计。今天，我们向您隆重介绍来自意法半导体的卓越解决方案STF110N10F7，它正是为应对这些挑战而生，旨在将您的产品性能推向新的高度。

这颗采用先进STripFET VII技术的N沟道MOSFET，绝非普通功率器件。其核心魅力在于极低的导通电阻在10V驱动电压下，仅7毫欧的最大值，这意味着在高达45A的连续电流下，它能将导通损耗降至前所未有的低水平。更低的损耗直接转化为更少的热量、更高的系统效率以及更紧凑的散热设计，让您的电源、电机驱动或DC-DC转换器不仅运行更“冷静”，寿命也更长久。其宽广的工作温度范围（-55°C至175°C）确保了它在严苛环境下的可靠性与稳定性，是工业自动化、电动工具、不间断电源（UPS）等应用的理想心脏。

无论是驱动一台强劲的工业电机，还是构建一个高效的服务器电源，STF110N10F7都能游刃有余。其100V的漏源电压和优化的栅极电荷（Qg）特性，使其在开关应用中能够实现快速、干净的切换，有效减少开关损耗和电磁干扰（EMI），提升整体系统的动态响应和可靠性。选择它，就是选择了一种经过市场验证的、能够平衡性能、效率与成本的高价值方案。我们信赖的ST代理伙伴将为您提供全面的技术支持与供应链保障，确保您能轻松地将这颗高性能芯片集成到您的下一代创新产品中，在激烈的市场竞争中率先赢得能效优势。

• 型号:STF110N10F7
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:TO-220FP
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 100V 45A TO220FP
• 包装:管件
• 产品状态:停产
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:100 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):45A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:7 毫欧 @ 22.5A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:4.5V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:72 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±20V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:5117 pF @ 50 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:30W（Tc）
• 工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:通孔
• 供应商器件封装:TO-220FP
• 封装/外壳:TO-220-3 整包
• STF110N10F7的订货细节及现货数量，欢迎跟我们的销售代表确认。