STF11NM65N

在追求更高能效与可靠性的电力转换设计中，您是否还在为开关损耗和系统稳定性而烦恼？现在，让我们向您介绍一款历经市场验证的功率开关解决方案STF11NM65N。它不仅仅是一个MOSFET，更是意法半导体MDmesh II技术的杰出代表，专为应对严苛的高压、高频应用挑战而生。其650V的漏源电压和11A的连续漏极电流能力，为您构建坚固的功率处理核心提供了坚实基础，而极低的导通电阻和栅极电荷，则意味着更少的能量浪费和更清凉的运行温度，直接助力您的产品在能效竞赛中脱颖而出。

想象一下，在您的开关电源（SMPS）、功率因数校正（PFC）电路或电机驱动控制板中，STF11NM65N正稳定高效地工作着。它那TO-220FP的封装形式，兼顾了出色的散热性能与便捷的安装工艺。无论是工业照明驱动、家电变频控制，还是UPS不间断电源系统，这颗芯片都能游刃有余地处理能量的快速切换与传递。其高达150°C的结温工作能力，赋予了系统更强的环境适应性和长期运行可靠性，让您的终端产品无惧高温考验，持续稳定输出澎湃动力。

选择STF11NM65N，就是选择了一份来自意法半导体的品质承诺与性能保障。尽管该型号已进入停产状态，但其成熟的设计、广泛的成功应用案例以及可能通过ST芯片代理渠道获得的库存支持，使其依然是许多经典设计升级或特定需求项目的明智之选。它用高达25W的功率耗散能力和优化的动态特性，帮助您简化热管理设计，提升系统整体功率密度。让这颗凝聚了MDmesh II技术精髓的功率器件，成为您提升产品竞争力、赢得市场信赖的关键一环，开启高效节能的新篇章。

• 型号:STF11NM65N
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:TO-220FP
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 650V 11A TO220FP
• 包装:管件
• 产品状态:停产
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:650 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):11A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:455 毫欧 @ 5.5A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:4V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:29 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±25V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:800 pF @ 50 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:25W（Tc）
• 工作温度:150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:通孔
• 供应商器件封装:TO-220FP
• 封装/外壳:TO-220-3 整包
• STF11NM65N的订货细节及现货数量，欢迎跟我们的销售代表确认。