STF11NM80

在追求更高能效和可靠性的电力转换设计中，工程师们最常面临的挑战是什么？是如何在高压、大电流的严苛环境下，依然保持系统的高效稳定运行。这正是STF11NM80大显身手的舞台。作为意法半导体MDmesh系列的核心成员，这颗800V、11A的N沟道功率MOSFET，以其卓越的性能重新定义了中高功率应用的效率边界。它不仅仅是一个开关器件，更是您提升产品竞争力、降低系统总成本的得力助手。

想象一下，在您的开关电源（SMPS）、功率因数校正（PFC）电路或电机驱动器中，需要一颗能够从容应对800V高压、承载11A电流的“心脏”。STF11NM80正是为此而生。其先进的MDmesh技术带来了极低的导通电阻（Rds(on)），在10V驱动下典型值仅为400毫欧，这意味着更低的传导损耗和更少的热量产生。无论是工业电源、UPS不间断电源，还是电焊机、照明镇流器等应用，它都能确保能量以最高效的方式传递，让您的设备运行更凉爽、寿命更长久。选择可靠的ST芯片代理，是确保您能稳定获得这颗高性能芯片、并获得专业技术支持的第一步。

为什么越来越多的设计将STF11NM80作为首选？答案在于它无与伦比的综合价值。高达800V的漏源击穿电压提供了充裕的设计余量，增强了系统在电压浪涌下的鲁棒性。优化的栅极电荷（Qg）和输入电容（Ciss）特性，使得开关速度更快，开关损耗显著降低，特别适合高频开关应用。TO-220FP封装在提供出色散热能力的同时，也兼顾了安装的便利性。从-65°C到150°C的宽广工作结温范围，让它能适应从严寒到酷热的各类环境。当您需要一颗能扛起高压重担、同时保持高效与可靠的功率开关时，STF11NM80就是那个让您设计更从容、产品更出色的不二之选。

• 型号:STF11NM80
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:TO-220FP
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 800V 11A TO220FP
• 包装:管件
• 产品状态:在售
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:800 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):11A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:400 毫欧 @ 5.5A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:5V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:43.6 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±30V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:1630 pF @ 25 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:35W（Tc）
• 工作温度:-65°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:通孔
• 供应商器件封装:TO-220FP
• 封装/外壳:TO-220-3 整包
• STF11NM80的订货细节及现货数量，欢迎跟我们的销售代表确认。